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混合阳极结构相关论文
GaN基肖特基二极管的开关特性研究
氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料的代表,因其具有高禁带宽度、高电子迁移率、高电子饱和速度、高击穿场强等一系列优良的电学特性,......
学位
氮化镓
肖特基二极管
混合阳极结构
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