氮化镓（GaN）作为第三代半导体材料的代表,因其具有高禁带宽度、高电子迁移率、高电子饱和速度、高击穿场强等一系列优良的电学特性,......

采用化学水浴沉积法研究在低温条件下以及硫尿浓度不同的溶液中生长出的硫化镉薄膜的电学性质。采用X-射线衍射（XRD）仪确定退火后的......

In As/AlSb高电子迁移率晶体管（HEMT）器件中,InAs沟道材料有高电子峰值速度（4×l07 cm/s）,且InAs/AlSb异质结有很大的导带带隙ΔEc（1.35......