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漂移区结构相关论文
150V电荷耦合功率MOSFET的仿真研究
本文针对150V功率MOSFET,利用电荷耦合概念,采用双层外延漂移区结构,对器件进行了设计与仿真:设置哑元胞,在导通电阻增加很少的情......
会议
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会议
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厚度
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漂移区结构
技术
漂移区电阻
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