每一项电力电子新技术的出现和新装置的诞生都是以新型电力半导体器件的问世为契机。因此,电力半导体器件是电力电子技术的基础和......

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研究了阶梯变掺杂漂移区高压SOI RESURF（Reduce SURface Field）结构的器件几何形状和物理参数对器件耐压的影响；发现并解释了该结构纵......

本文系统地研究了基于微波功率放大器应用的GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的耐压机理和相关的可靠性。重点分析了引起GaN HEMT击穿......