漂移阶跃恢复二极管相关论文
在新能源革命的背景下,功率半导体器件电压等级不断提高。由于现阶段封装设计缺乏系统的理论指导,功率半导体更高的耐压水平使器件......
为满足电子设备在高重频、快前沿脉冲下的电磁损伤机理与工作防护技术研究的需要,本文利用漂移阶跃恢复二极管(DSRD)开断速度快、......
漂移阶跃恢复二极管(DSRD)具有开关速度快、重频高、工作电流大等优点,在脉冲功率技术中很有应用前景.研究了一种基于磁饱和变压器......
现代脉冲功率技术对于开关的要求越来越高,作为宽禁带半导体的典型代表,碳化硅(SiC)具有宽禁带高临界场强高热导率等优势。漂移阶......
提出了一种基于漂移阶跃恢复二极管（DSRD）、结构简单的新型大功率脉冲源电路.论述了阶跃恢复二极管的快速开关特性,分析了该新型脉冲......
简单介绍了漂移阶跃恢复二极管(DSRD)的物理特性以及工作机理。介绍了DSRD开关堆叠技术及两种典型电路,并分析其工作机理,且对比了......
在概述高功率半导体开关漂移阶跃恢复二极管（DSRD）的性能特点、工作原理的基础上，详细阐述了其快恢复物理特性的机理，并论证了快恢复过......
本文对比了不同种类开关在脉冲功率源技术中的应用,介绍了半导体开关漂移阶跃恢复二极管（DSRD）的工作原理,建立了DSRD工作电路仿真模......
介绍了新型半导体开关漂移阶跃恢复二极管（DSRD）的工作原理和特性,总结了基于半导体开关器件的脉冲源的发展现状及应用。基于DSRD的......
