热化学气相沉积相关论文
碳纳米管由于其优越的电学、力学和化学等性能,而被视为一种优质的场发射电子源材料。二十多年来,以碳纳米管作为场发射电子源的真......
利用热化学气相沉积法在负载不同厚度催化剂的硅纳米丝(SiNW)表面生长碳纳米管(CNTs),探讨了生长条件对所合成SiNW-CNT的结构和场......
采用热化学气相沉积技术在单晶硅衬底上制备了碳纳米带,并采用场发射SEM、TEM、激Raman光谱等分析手段对其形态和结构进行了研究.......
通过严格控制气流的方向和催化剂颗粒的密度，加以利用材料自身的重力作用，用热化学气相沉积（T-CVD）的方法在硅衬底上制备了长度可控且......
以热化学气相沉积法较容易地制备得到场发射冷阴极.在导电性较好的金膜上蒸镀镍点,以此作为热化学气相沉积反应的基底,首先高纯氢......
采用热化学气相沉积的方法在选择性液相外延方法制备的GaAs微尖上生长碳纳米管。利用扫描电子显微镜以及拉曼光谱对生长的碳纳米管......
通过向两种金属酞菁的混合物添加一定量的硫粉，在800～950oC裂解合成了大面积的直立碳纳米管。采用场发射扫描电镜（FE—SEM）、高分辨透......
利用热化学气相沉积法在负载不同厚度催化剂的硅纳米丝（SiNW）表面生长碳纳米管（CNTs）,探讨了生长条件对所合成SiNW-CNT的结构和场发射......
自2004年石墨烯成功制备后,无数的研究者着迷其近乎完美的理化性能。单原子厚度的石墨烯薄膜,以完美的蜂窝状晶格排列,在许多方面......
本文利用热化学气相沉积法(TCVD),系统地研究了NH3预处理对硅基底上沉积的催化剂铁膜的结构及所制备的碳纳米管形态的影响.研究结......
用热化学气相沉积(CVD)技术,用乙炔为碳源,氮气为载气,氢气为还原气体,氨气为刻蚀气体,在单晶硅上制备出定向竹节型结构碳纳米管薄......
采用热化学气相沉积的方法首先合成了SiC纳米颗粒。接着,用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、拉曼光谱、X射线电子能谱和X射线衍射......
采用阳极氧化法在草酸溶液中制备了孔径约为100nm的多孔氧化铝（AAO）模板。利用此模板在不负载任何催化剂的条件下，利用热CVD装置制备......
