发光机制相关论文
CuInSe2量子点是一种“绿色”的可见光和红外波段的光电材料,它们在太阳能电池和红外光电探测器方面具有广泛的应用潜力。CuInSe2......
近年来,卤化物钙钛矿因具有可调的发射光谱、高效的荧光量子产率、简单的溶液制备等特点,被广泛应用于发光二极管等光电领域。特别......
有机发光二极管（OLED）具有诸多潜在的优势在显示器领域中备受瞩目,比如质量轻薄,制作工艺简单和高分辨率等。通常情况下,OLED的重要......
碳点（CDs）,作为一种新型零维碳纳米材料,具有稳定可调的荧光特性、良好的生物相容性和低毒性等优点,引起了研究者广泛的关注。近年来......
本工作采用螺旋波等离子体化学气相沉积技术制备了富硅氮化硅薄膜,利用拉曼散射谱（Raman）、傅立叶变换红外吸收（FTIR）谱、透射电子显微......
采用高温熔融法制备了掺杂不同比例Yb3+和Tm3+的硅酸盐玻璃。吸收光谱表明,Yb3+和Tm3+在3001 100 nm的吸收过程彼此不干扰。研究了......
报道了用叠加能量Ｓｉ＋、Ｎ＋共注入ＳｉＯ２薄膜研究硅基发光材料。Ｓｉ＋、Ｎ＋先后注入ＳｉＯ２薄膜，并在衬底中重叠。样品退火后在紫外光激发下，可以观察到很强的紫外......
量子点具有半高宽窄,量子产率高,并且其光谱可覆盖整个可见光区域等优异特点引起了广泛的关注,在许许多多的领域都有很重要的应用......
氧化锌(ZnO)是一种常见的II?VI族直接带隙无机氧化物半导体。相比其它材料,ZnO具有很宽的带隙(3.37 eV),有良好的导电性、生物相容......
学位
钙钛矿量子点(PQD)是最重要的纳米级别发光半导体材料之一。因其可调的带隙、优异的电荷转移能力、高的理论光电转换效率等独特的......
本学位论文以α-Si_3N_4为研究对象,采用直接氮化法制备了在固态照明领域具有潜在应用价值的微量Al、Eu共掺杂α-Si_3N_4基荧光粉,......
量子点是半径小于激子波尔半径的纳米晶,颗粒尺寸一般介于1~10 nm之间。量子点是近年来发展起来的一类新型功能材料,因其独特的量......
碳点（Carbon dots,CDs）作为碳材料家族的新成员,既继承了传统碳材料生物相容性好、原料来源丰富的优点,还具有发光波长可调、耐光漂......
绿色荧光蛋白（ｇｒｅｅｎ－ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｔｐｒｏｔｅｉｎ，ＧＥＰ）是由２３８个氨基酸组成的多肽。通过翻译后的加工形成生色基团，在无任何协同因子、底物或附加基因产物存在的情况下就能产生......
自1990年英国皇家信号与雷达研究院的Canham发现多孔硅膜可见光发光后,由于这种现象可使Si光电子器件与常规Si器件集成,使芯片间......
稀土配合物独特的发光性质使其在众多领域有很大的应用价值.其中,d-f跃迁发光稀土配合物具有跃迁宇称允许、激发态寿命短和光谱可......
随着用电量的激增,人们对电能的需求越来越大,LED因节能、耐用和环保而成为人们重点研究的节能产品。白光LED通常是由蓝光LED结合......
有机电致发光器件因其具有驱动电压低、主动发光、亮度高、视角宽、响应快、耐冲击与震动等特点,在显示与照明领域有着广阔的应用......
一维纳米SiC材料由于其宽带隙半导体特性,具有比石墨材料更低的功函数,且具有高的热稳定性、化学稳定性和机械强度,因而一维纳米Si......
掺钕铌酸锂(Nd:LiNbO3)晶体结合了Nd3+优异的激光特性以及LiNbO3晶体的电光及非线性光学性能，因而备受瞩目。本论文以Nd:LiNbO3晶体......
随着经济的发展，能源的消耗日益增加，发展新型的节能产品已成为人们研究的重点。白光LED以其光效高、能耗低、污染小等优点受到了人......
ZnO是一种重要的宽禁带隙（Eg=3.3eV）半导体材料,它的激子束缚能高达60meV。因此,氧化锌材料在紫外光电器件方面有巨大的应用潜力。近......
稀土元素与氨基酸Schiff碱配体形成的配合物以其多样的结构和广泛的用途,愈来愈受到人们的重视。该类配合物具有重要的生物活性及......
氧化锌是一种重要的宽禁带隙半导体材料.由于氧化锌激子束缚能高达60meV,这使它在紫外光电器件方面有巨大的应用潜力.然而,还存在......
由于硅是具有窄的、间接能隙的半导体材料，因此不能有效地发出可见光。直到1990年，室温下发光的多孔硅(PS)的发现为发展硅基光电器件......
由于稀土荧光材料在固体激光器、传感器、太阳电池、光存储、光学探测器和三维立体演示等领域有着广泛的应用前景，因此稀土荧光材料......
由于稀土离子掺杂的上转换发光材料在荧光粉、太阳能电池、生物荧光标记、色彩显示以及绿色照明等领域具有广泛的应用前景。掺杂稀......
以GaN为代表的Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体材料（包括AlN、GaN、InN及其合金），近年来获得了快速的发展。优良的光电性质，稳定的化学性质，使其可......
学位
利用从头算 MP2方法优化了 Pt( CN) 2 ( CNCH3 ) 2 ,Pt( CN) 2 ( CNCH3 ) 2 -( NCCH3 ) 2 .[Pt( CN) 2 ·( CNCH3 ) 2 ]2 的基态几......
Si基纳米材料是近年迅速发展起来的一类新型光电信息材料,在未来的Si发光二极管、Si激光器以及Si基光电子集成技术中具有潜在的重......
硅纳米线是一种具有优异的物理、化学及力学性能的半导体材料,其独特的光致发光性能使硅纳米线有望在低维纳米材料发展的基础上实......
近日，澳大利亚Macquarie大学的金大勇教授领导的先进细胞仪实验室与北京大学工学院生物医学工程系席鹏课题组联合攻关，发现了新的纳......
采用射频磁控溅射复合靶技术制备了Ge-SiO2薄膜. 薄膜在N2的保护下进行了不同温度的退火处理. 根据X射线衍射(XRD)谱估算了Ge纳米......
Si基纳米材料是近年迅速发展起来的一类新型光电信息材料, 在未来的Si发光二极管、Si激光器以及Si基光电子集成技术中具有潜在的重......
研究了不同Er3+/Yb3+掺杂比46Bi2O3-44GeO2-10Na2O(B46G44N10)(摩尔分数)玻璃的吸收光谱、红外吸收谱和上转换光谱性质,分析了玻璃......
采用射频磁控反应溅射技术和后退火法制备了nc-Ge/siO2薄膜材料.采用X射线衍射仪(XRD)对薄膜的微结构进行测试,随着退火温度的升高......
多孔硅是一种硅基纳米材料,硅基材料的研究是实现光电集研究为硅基发光研究开辟了新的应用研究领域.对多孔硅发光的意义、多孔硅的......
多孔硅具有很强的室温发光,介绍了多孔硅在分离多孔层后的发光情况.用传统的电化学法腐蚀样品,待多孔层分离后,通过SEM(表面电子显......
比较了有机EL和LED与无机EL和LED的主要差异。有机EL属于电注入发光，无机EL属于高场激发下的碰撞离化机制，而且有机LED和无机LED的激......
采用低压化学气相沉积(LPCVD)方法,通过纯SiH4气体的表面热分解反应,在SiO2表面上自组织生长了半球状Si纳米量子点,在室温条件下实......
探究与缺陷相关的氧化锌可见区发光机制对获得高效激子发光和实现紫外激光有重要的意义,也是该领域研究的基本问题之一.本文用X射......
人们已经提出了许多解释多孔硅发光的理论模型,每个模型都可以针对某些实验现象做出合理的解释,而对其他的实验结果就可能无法解释......
用CVD两步法在常压下于p型Si（100）衬底上沉积出具有较好择优取向的多晶ZnO薄膜。在325nm波长的光激发下，室温下可观察到显著的紫外光......
由叶片延迟发光的双曲线衰减方程出发,对双曲线衰减方程进行修正,得到了延迟发光的衰减参数＂1/p＂随时间变化的结论;并初步探讨了延迟......
对于富纳米硅氮化硅薄膜的光致发光，其电子一空穴对存在3类光激发一光发射过程．通过对富纳米硅氮化硅薄膜光致发光模型的数值模拟对......
以氧化硅、氟化铅为基质制备了Er3+ :Yb3+共掺杂氟氧化物陶瓷,X-射线分析表明陶瓷中存在着β-PbF2晶相,沉积在其中的稀土离子由于......
概述了纳米碳化硅半导体材料,如采用各种成膜技术在硅衬底上制备的纳米碳化硅(nc-SiC:H)膜,镶嵌在各种介质如(α-SiC:H、SiO2或ZSM......
