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作为近几年来半导体领域最具竞争力的材料之一,卤化物钙钛矿受到了广泛的关注。其中,钙钛矿量子点（Quantum dots,QDs）材料由于发光可......
半导体发光二极管（light-emitting diodes,LEDs）作为一类直接将电能转化为光能的光电器件,具有电光转换效率高,响应速度快以及轻巧节......
硒化锑半导体纳米材料具有优异的物理化学性质,如直接带隙,合适的禁带宽度,高的光吸收系数,绿色低毒和成本低廉等,在高效可见光探......
纳米材料表现出许多有趣的光电特性,在光捕获和发光设备领域有很大的应用可能性。随着纳米材料的开发,人们打开了一扇了解世界的特......
最近,由于独特的光学性能,人们对CsPbX_3(X=I,Cl,Br)纳米晶的研究兴趣日益渐增。其在照明,显示和激光中显示出卓越的前景。然而,缺......
学位
CsPbX3（X=Cl,Br,I）系列钙钛矿纳米材料由于具备光致发光量子产率高、带隙调节范围宽、发光峰窄、制备成本低以及制备方法简易等优点,......
硒化锡(SnSe)是一种重要的Ⅳ-Ⅵ族窄带隙p型半导体材料,其体相材料的直接带隙大小为1.3eV,间接带隙大小为0.9eV,在太阳能电池的最......
采用热注入法制备了Cu2ZnSnS4 (CZTS)纳米颗粒,并形成高分散、稳定的“墨水”,采用滴注方法形成CZTS前驱体薄膜.利用X射线衍射(XRD......
近年来,新兴的铅卤化物钙钛矿材料由于其高荧光量子产率(PLQY)、高色纯度、带隙可调等特性,在光电子器件应用方面受到了广泛的关注......
随着现代生活和科技的快速发展,能源危机已成为当今世界各国所面临的共性问题,清洁、可再生能源的研究与发展已成为共同关注的焦点......
Cu2Zn Sn(S,Se)4(CZTSSe)材料因其光吸收系数高,具有理想的带隙,且所含元素丰度高、无毒等特性,非常适合作为太阳能电池的吸收层材......
作为一种新型的宽禁带半导体材料,ZnO具有直接带隙结构,室温下的禁带宽度约为3.37 eV,激子束缚能为60 meV,ZnO还具有原料丰富,成本......
目前化石燃料仍然是当今人类社会能源的主要来源。但是化石燃料的使用同时会释放有害气体造成环境污染,并且这些能源是不可再生能......
