ZnO纳米晶相关论文
多晶薄膜光电探测器经常具有若干缺点,例如缺陷种类不可控、晶界散射和表面氧分子吸/脱附过程,阻碍了它们在高性能UV光电探测中的......
本论文分别采用了反应溅射法和热活性法两种途径制备Si纳米晶,对其光致发光性能、微观组织、相结构和表面价键进行了分析,并对纳米......
ZnO是第三代半导体材料,具有宽禁带、高激子束缚能、价格低廉和环境友好等特点,具有广阔的光电应用前景。纳米结构的ZnO是无机材料......
氧化锌(ZnO)作为一种重要的半导体材料，室温下的带隙宽度为3.37eV，激子束缚能达60meV，被广泛应用于光电领域。目前对于纳米氧化锌的研......
无机太阳能电池,由于其制备成本高,机械性能差等缺点,限制了其应用空间。有机太阳能电池,制备成本低,质量轻,具有好的机械柔韧性等......
氧化锌（ZnO）是具有高激子束缚能（60meV）的宽带隙半导体（室温下约3.3eV）。由于其特殊的压电、磁电、电光、声光等物性，而备受关注。良好的Z......
作为宽带隙半导体纳米材料，ZnO具有成本低，制备工艺简单以及可控性生长等优点，在光电器件中具有广阔的应用价值。但是由于纳米材料本......
以Zn(NO3)2、(NH4)2CO3与Y(NO3)3为初始原料,采用水热法制备了棒状和枝状ZnO及掺杂Y的ZnO纳米晶。采用XRD、Raman、FESEM、EDAX和P......
以ZnCl2和NaOH为原料,用SnCl4·4H2O作掺杂剂,通过水热法合成了Sn掺杂ZnO纳米颗粒.利用X射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(FE-SEM)、......
以 Zn(NOs)3·6H2O、Ce(NO3)3·6H2O为原料,明胶为模板分散剂,采用凝胶模板燃烧法制备纯ZnO和ZnO:Ce纳米晶,利用XRD、TEM和PL谱研......
以Zn（NO3）3.6 H2O,AgNO3为原料,明胶为模板分散剂,采用凝胶模板燃烧法制备纯ZnO和ZnO∶Ag纳米晶,利用XRD,SEM,TEM和PL谱对样品的结构......
通过静电纺丝法制备了直径为（320±51）nm的前驱体醋酸锌／聚氨酯（Zn（OAc）2／PU）复合纳米纤维。将前驱体先后经过0．1mol／LNaOH乙醇溶液和甘......
利用溶胶-凝胶方法制备了半导体ZnO纳米材料,用混合方法将ZnO与卟啉有机物(对-二羟基苯基卟啉)形成复合体系。通过对复合体系光学......
本文首先通过溶胶凝胶原位水解法成功合成ZnO@PPEGMA壳核复合结构纳米晶。ATRP引发剂2-溴异丁酰溴通过酰溴与ZnO表面羟基的酯化反......
ZnO的激子特性对制备氧化锌基的光电子器件至关重要,因此对ZnO量子点中激子的发光性质及其跃迁过程进行研究显得十分必要。采用溶......
本文实验研究了ZnO纳米晶对有机共轭聚合物MEH-PPV电致发光光谱特性的影响.研究结果表明,对于ITO/PEDOT:PSS/MEH-PPV:ZnO/Al/Ag结......
利用简单的低温工艺制备了纳米晶纤锌矿结构的ZnO,用高分辨透射电镜(HRTEM)、X射线衍射(XRD)和光致发光(PL)技术进行了表征.利用纳......
本文报道了一种热分解制备多孔ZnO纳米晶的方法,将多孔ZnO纳米晶经过不同退火温度处理后,研究其结构对染料敏化太阳能电池的光电转......
通过溶胶-凝胶法制备了5-31 nm氧化锌纳米晶,测量了它们的拉曼光谱,结果表明二级拉曼模随粒径减小相对强度增大,归因于尺寸效应.新......
通过水热合成方法,研究了邻苯二酚作为螯合剂对氧化锌(ZnO)一维棒状材料结构及其光致发光的作用.实验发现,通过调节邻苯二酚的浓度......
以Zn（NO3）3.6H2O、Ce（NO3）3.6H2O为原料,明胶为模板分散剂,采用凝胶模板燃烧法制备纯ZnO和Ce/ZnO纳米晶,利用XRD、TEM、BET、UV-Vis漫......
ZnO是一种直接带隙的半导体材料,室温下带隙宽度为3.37 eV,激子束缚能高达60 meV。ZnO纳米结构,由于在未来光电子器件方面的广阔应......
由于在生物标记方面的应用前景，具有发光性质的半导体材料引起了人们的广泛关注。ZnO与以往研究较多的CdSe或CdTe相比，具有无毒、价......
纳米材料具有独特的表面效应、体积效应和量子尺寸效应等,使其无论在基础研究,还是在应用领域都具有极大的研究价值。掺杂是一种使......
无机纳米晶/聚合物异质结有机太阳能电池既利用了无机纳米晶载流子迁移率高、化学稳定性好的优点,又保留了高分子材料良好的柔韧性......
ZnO是一种宽禁带、直接带隙半导体材料,因其具有很多特性,有望成为新一代光电材料。本文利用热注入法合成分散性良好的ZnO纳米晶,......
氧化锌(ZnO)是一种短波长、宽带隙的光电材料，其外延生长温度低、成本低、易刻蚀而使后工艺加工方便等优点，在发光二极管、激光器、......
低温溶液法具有制备工艺简单、易于产业化生产等优点,是大规模、低成本制备大面积光电器件的理想选择。本文研究通过低温溶液法制......
本文通过溶液法,在非配位溶剂十八烯(ODE)中,基于羧酸盐的醇解反应,用热注入法合成In掺杂ZnO纳米晶。探讨了In掺杂对纳米晶形貌、......
采用简单旋涂工艺制备了具有ITO/PVP/ZnO NCs/PbS NCs/PVP/Al夹心结构的有机/无机复合电双稳存储器件,与没有PbS纳米晶修饰层的器......
