球形量子点相关论文
在连续介电模型和有效质量近似下,采用变分法从理论上研究了流体静压力下GaN/AlxGa1-xN核/壳和反核/壳量子点的杂质态和激子态结合......
在连续介电模型和有效质量近似下,运用变分法研究了半导体有限高势垒球形量子点中杂质态的基态结合能。考虑电子有效质量随着位置......
在有效质量近似下，运用变分法研究了外电场和压力作用下半导体球形量子点GaN/AlxGa1-xN的子带线性和非线性光吸收系数及其压力效应，......
详细讨论了GaAs/AlxGa1-xAs球形量子点内的单电子束缚能级随量子点半径、Al组分以及外电场的变化规律,并计算了考虑量子点内外电子......
假设镶嵌在介质层（如SiO2、SiC）中的纳米晶（如Si、Ge、Sn）为球形量子点,考虑到电子在纳米晶和介质层中的有效质量差异,对镶嵌在介质层......
随着纳米材料合成的快速发展,特别是半导体量子点(QDs),由于它具有量子产率高、稳定性强、成本低及可规模化生产等优点,被认为是对......
随着半导体生长技术日益发展,半导体量子点一直是凝聚态物理研究的热点,尤其是光吸收的物理特性,即光电性质、输运特性有着新颖的......
在有效质量近似下,考虑异质结界面处实际异质结势,采用三角势近似导带弯曲,并计及流体静压力效应,利用变分原理研究了有限高势垒Ga......
近些年来，随着研究手段不断的改进和微纳米加工技术的不断提高，涌现出许多新奇的物理现象如整数量子霍尔效应、分数量子霍尔效应、反......
