电子有效质量相关论文
本文基于第一性原理计算软件CASTEP和电荷控制模型主要研究由典型铁电材料BaTiO3、半导体材料GaN构成的BaTiO3-GaN异质结构,在理论......
全文安排如下:在引言部分,我们简述了研究背景和研究目的.第一章简要介绍了碳纳米管及其基本特征.第二章为基本理论,着重介绍了分......
测量了三种不同组分La2-xSrxCuO4(x=0.09,0.18,0.24)单晶的平面内横向(H∥c,J∥ab)和纵向(H∥J∥ab)磁阻,发现平面横向与纵向磁阻都......
利用第一性原理计算方法密度泛函理论的局域密度近似计算了纤锌矿氮化铝(AlN)、氮化镓(GaN)、氮化铟(InN)及其合金在双轴应变下的电子有......
假设镶嵌在介质层(如SiO2、SiC)中的纳米晶(如Si、Ge、Sn)为球形量子点,考虑到电子在纳米晶和介质层中的有效质量差异,对镶嵌在介质层......
通过对双势垒结构中电子有效质量的变化及电子束不同的入射角度引起的共振贯穿现象的研究,预言了双势结构作为一种在控制自由空间......
应变工程在提升Gc器件性能方面起着重要作用,而能带结构是研究应变Gc电学、光学性质的理论基础.文中通过对角化一个包含自旋轨遒相......
材料的光学性质可以用复介电参数ε唯一地确定和求解表达,而贵金属材料的介电参数是影响微纳米器件中表面等离子体波传输性能的关......
InGaAs/InAlAs半导体材料目前是制作高电子迁移率晶体管的首选材料之一,对于它的研究方兴未艾,在深低温、强磁场条件下的输运性质......