电子面密度相关论文
采用三角势近似界面导带弯曲,研究了有限高势垒GaN/Ga1-x Al x N球形量子点中束缚极化子的结合能及其压力效应。数值计算了杂质态......
应变Si(Strain Si)调制掺杂NMOSFET量子阱沟道中电子面密度直接影响器件的开关特性.本文通过求解泊松方程,建立了应变Si调制掺杂NM......
在有效质量近似下采用变分法以及界面处导带弯曲用三角势近似,研究了氮化物半导体GaN/Ga1-xAlxN材料中杂质态的结合能随量子点尺寸......
考虑界面处导带弯曲，流体静压力以及有效质量随量子点位置的依赖性，采用变分法以及简化相干势近似，研究了无限高势垒GaN／Ga1-xAlxN球形......
本文对GαAs/AlxGα1-xAs异质结,采用三角势近似异质结势,考虑外界恒定电场以及体纵光学声子和两支界面光学声子的影响,应用改进的......
对半导体单异质结系统,引入三角势近似异质结势,考虑电子对杂质库仑势的屏蔽影响,利用变分法讨论在界面附近束缚于正施主杂质的单......
