施主杂质相关论文
多晶硅是电子信息产业和光伏新能源产业的基石。使用改良西门子法生产的多晶硅产量约占全球多晶硅总产量的80%。改良西门子法又称......
低维半导体材料以其独特的物理特性,在光电子学、磁学、纳米电子学、生物学、医学等领域有着极为广泛的应用。由于低维半导体材料......
在有效质量近似下,采用变分理论研究了流体静压力下AlxGa1-xN/GaN量子点-量子阱结构中的施主与受主杂质态的结合能,理论推导了杂质......
对掺 Ｃｕ 和 Ｃｌ的 Ｃｄ Ｓ Ｃｄ Ｓｅ 双层光电导膜的暗电导和亮电导与掺杂浓度及 Ｃｕ／ Ｃｌ比的关系、响应时间和光谱响应进行了研究。试验发现： 适当的 Ｃｕ／ Ｃｌ掺......
前言近年来,半导体技术在我国电工行业中获得越来越广泛的应用,为了提高广大电工技术人员在半导体及其应用方面的理论知识与实践......
在有效质量近似下,研究了同心双量子环中双激子和负施主中心杂质体系的尺寸效应和磁场效应.在数值计算中,采用一维同心双量子环模......
在有效质量近似下,本文采用类氢型的试探波函数,运用变分法系统地研究了外电场对闪锌矿InGaN/GaN耦合多量子阱中的类氢杂质态的影......
采用无限深势阱模型 ,利用变分法计算了磁场对截面为方形的一维量子阱线中类氢杂质基态束缚能的影响 ,同时还讨论了施主离子位置的......
通过传统的球磨工艺，以Co2O3为受主杂质和La2O3、Nb2O5、Bi2（SiO3）3为施主杂质，对BaTiO3系陶瓷进行掺杂。实验表明：Co2O3对BaTiO3陶瓷介......
在有效质量近似下，采用变分方法，研究椭球量子点中施主杂质的非线性光学性质．基于计算能量和波函数，以典型的半导体材料砷化镓为例，讨论......
通过传统的球磨工艺，分别以MnCO3、Co2O3为受主杂质，La2O3、Nb2O3、Bi2（SnO3）3为施主杂质对BaTiO3陶瓷进行掺杂。实验表明，BaTiO3陶瓷介......
在有效质量近似理论下,利用变分法研究了外电场下圆柱形GaAs/Al_xGa_（1-x）As量子环中类氢施主杂质束缚能。讨论了施主杂质束缚能与量......
本实验重点研究了纳米无铅PTC陶瓷粉体的低温合成.主要包括柠檬酸盐sol-gel法制备BaTiO3基干凝胶、干凝胶的600℃煅烧和施主杂质以......
利用B样条技术计算类氢施主杂质量子环能级和束缚能的量子尺寸效应．计算结果表明：量子环的能级E1随着抛物势ωh的增加而增大．E1-R0曲......
利用有效质量近似和变分原理,研究了激光场和温度对GaAs/Ga1-xAlxAs量子阱中基态施主束缚能的影响.结果显示,基态施主束缚能随着激......
选用含有2个变分参数的波函数，利用变分法计算了无限深球形量子点中施主杂质态的束缚能、杂质有效玻尔半径、维里定理值等随量子点......
对半导体单异质结系统,引入三角势近似异质结势,考虑电子对杂质库仑势的屏蔽影响,利用变分法讨论在界面附近束缚于正施主杂质的单......
利用精确对角化方法计算了两个电子在施主杂质抛物势量子点的能量和波函数,通过密度矩阵方法得到光折射率改变量的表达式,在这基础......
单晶硅材料内少子的衰减过程可以反映出其内部杂质和缺陷的信息。针对施主型杂质是单晶硅内多数杂质呈现的基本形态,首先在小注入......
通过不同离子对BaTiO3的掺杂改性使BaTiO3基陶瓷成为主要的电介质材料之一，但是电子工业的快速发展对材料提出新的要求，如何获得介电......
多晶硅是主要功能半导体材料。磷作为主要施主杂质,其含量直接影响多晶硅的半导体性能。多晶硅制备普遍采用改良西门子工艺,在密闭......
半导体材料是当今最重要的材料之一，用半导体制成的各种器件极为广泛地应用于人类的生产和生活等各个方面。低维半导体材料的一些光......
在有效质量近似下,本文采用类氢型的试探波函数,运用变分法系统地研究了外电场对闪锌矿InGaN/GaN耦合多量子阱中的类氢杂质态的影......
自从1996年第一次研制出GaN蓝光激光器以来，以GaN及其合金为基础的量子阱、超晶格、应变复合材料将半导体材料的发展带到了一个全新......
在有效质量近似下,研究了垂直磁场作用下量子管中的中性施主杂质体系和带负电施主杂质体系基态能量的Aharonov–Bohm(A-B)振荡。在......
