本文研究了Ti/ZrO2/Pt阻变存储器的双极转变特性.氧空位组成的导电细丝的形成和断裂是产生电阻转变特性的主要机制.器件低阻态和高......

采用磁控溅射法,以ITO/Glass为衬底,制备了具有电阻转变特性的HfO2薄膜。X射线光电子能谱(XPS)分析发现,薄膜中的Hf、O元素不成化......

依据摩尔定律，2016年，半导体行业将迎来22nm工艺节点，器件小型化、高密度已成必然趋势。目前，非易失性存储器方面，闪存占据了90％以上的市......

随着半导体技术的快速发展，各种新型非易失性存储器(NVM)应运而生，主要包括铁电存储器(FRAM)、磁电阻存储器(MRAM)、相变存储器(PRAM......

采用脉冲激光沉积法（PLD）,以Pt（111）/Ti/SiO2/Si为衬底,制备了具有电阻转变特性的TiO2薄膜.X射线衍射（XRD）分析未发现明显的TiO2结晶峰,......

为进一步确定阻变型非易失性存储器的擦写速度、器件功耗和集成度等实用化的性能指标，设计RRAM存储器单元电路结构，并使用HSpice软件......

近年来,随着手机、数码相机、个人PC、平板电脑等便携式电了产品的普及,非易失性存储器的重要性日益凸显。Flash浮栅存储器是目前......

随着诸如手机、MP3、MP4、笔记本电脑等便携式个人设备的逐渐流行,以及近年来计算机技术、互联网技术以及新型大众化电子产品的高......

近年来,在智能手机、平板电脑等消费电子产品的逐步普及和基于互联网技术的智能产品不断发展的推动下,市场对大容量、高密度、低功......

ABO3型氧化物BaTiO3(BTO)与BiFeO3(BFO)是很重要的铁电材料和半导体钙钛矿氧化物材料。它在微电子、铁电和光电子领域有广泛的研究......