脉冲激光沉积法相关论文
随着微电子技术的发展,集成电路的集成度进一步增加,作为其基本单元的晶体管的特征尺寸逐渐减小带来了栅极氧化层漏电流的增大等问......
铁电薄膜具有良好的铁电性、压电性、热释电性、电光及非线性光学等特性,可广泛应用于微电子机械系统、光电子学和集成光学等领域......
随着科学的蓬勃发展、技术的不断革新,以微电子产业、电子信息技术以及科技制造业为首的高科技产业迅猛发展,对其所需要的功能材料......
多铁性材料中同时具有铁电、铁磁、铁弹等两种或两种以上铁有序性,并且多种序参量之间的相互耦合作用而产生新的效应。这类功能材......
采用脉冲激光沉积法在玻璃衬底上沉积掺镓氧化锌(GZO)透明导电薄膜,使用X射线衍射仪、紫外可见分光光度仪、原子力电子显微镜和霍......
采用脉冲激光沉积(PLD)技术，在(110)和(100)织构金刚石膜上成功制备出高度c－轴取向的ZnO薄膜，然后在纯氮气氛条件下对ZnO薄膜进行退火......
纳米材料是20世纪末期发展起来的新型材料,其以优异的特殊性能得到了广泛关注.纳米材料的制备是纳米科技中的重要领域.本文介绍了......
采用脉冲激光沉积法在透明导电(ITO)玻璃衬底上制备(Bi,Er)_2Ti_2O_7介电薄膜。当沉积温度范围控制在500~600℃时,均可获得纯度较......
以热释电材料为灵敏元的热释电红外探测器因其不需要制冷并且能够实现宽波段响应等特点被广泛应用到军事、医疗、工业、航天、科研......
随着大规模集成电路产业不断向小型化发展的趋势,SiO_2作为传统的CMOS结构的栅介质已经不能满足目前的需求。寻找新型铁电材料与硅......
压电材料由于其电能与机械能的相互转换与耦合,广泛应用在压电传感器、驱动器、换能器等领域。近年来,随着微机电系统(MEMS)的应用......
柔性器件因其便携性、形状可变性、人体适用性等诸多优点,已成为国际前沿课题之一。研发柔性器件的关键在于柔性衬底的选择和pn结......
氧化铪基铁电材料具有与CMOS工艺兼容、微型化能力强、禁带宽度大等特点,在促进铁电存储器的发展方面具有重要的作用,而锗具有相对......
在电介质晶体中,晶胞正负电荷中心不重合会导致出现电偶极矩,产生的电极化强度不等于零,因而材料具有自发极化的特性,晶体的这种性......
采用固相反应法制备了四方相结构的SnO2靶材,选用蓝宝石衬底,利用脉冲激光沉积法在不同温度下生长了一系列SnO2薄膜。X射线衍射测......
铁电材料PZT由于具备优良的铁电性、热释电性、压电性和光学特性等,受到人们的广泛关注。第三代宽禁带半导体材料GaN具有击穿场强......
学位
氧化锌（ZnO）是一种直接带隙宽禁带半导体材料。它具有很多的优异特性，如近紫外光发射特性、传感特性、生物兼容性等，在发光器件、紫外......
研究目的是寻找脉冲激光沉积法制备类金刚石薄膜过程中工艺参数对类金刚石薄膜质量的影响规律,以便根据需要制备不同功能与不同质......
锑碲基相变材料虽然具有高结晶速度和低结晶温度等优点,但由于低阻态电阻过低,容易导致复位(reset)电压过高,且热稳定性较差,无法......
全固态激光器在科学研究、工业、医学、军事等许多方面有着十分重要的应用。激光晶体是全固体激光器的重要组成部分，与激光玻璃相比......
氧化锌(ZnO)是一种重要的电子信息功能材料。化学性质稳定,原料来源丰富,对环境友好,300 K下大的带隙宽度等优点使得ZnO在发光装置......
La0.5Sr0.5CoO3（LSCO）是一种赝立方钙钛矿结构的导电金属氧化物,它不仅具有较低的电阻率（90μΩ·cm）,同时与目前广泛研究的铁电薄膜（PZ......
铁酸铋是少数几种室温下同时具有铁电、铁磁的新型的多铁性材料(Multiferroics)，它是三方扭曲的钙钛矿结构，其铁电居里温度和磁性相......
ZnO是Ⅱ-Ⅵ族宽禁带氧化物半导体材料,属于六角纤锌矿结构,具有较大的激子束缚能,可以实现室温下的紫外受激辐射。它的化学性质稳......
铁磁-铁电多铁性材料具有磁电效应，即能实现磁电或电磁之间的转换，因此可以使得能量在磁场和电场之间自由转换，从而在传感器领域有着......
固体氧化物燃料电池(SOFC),是一种直接将燃料气体和氧化物中的化学能转化成电能的全固体能量转换装置,由于它具有能量转换率高、燃......
铁电薄膜具有压电、铁电、介电、热释电、光电效应以及非线性光学效应等多种特征,被普遍应用于微电子设备的生产中。人们利用这些......
三氧化钨是一种n型宽禁带半导体氧化物,具有响应速度快、着色效率高和比电容高等优异物理和化学性能,被广泛应用于电致变色、智能......
双钙钛矿陶瓷由于其优越的物理性能特别是磁学性能而备受关注。为了更好地理解双钙钛矿陶瓷的电学和磁学性能,本文通过对双钙钛矿......
作为一种新型的宽禁带化合物半导体材料,氧化锌(ZnO)在短波长光电器件领域具有巨大的应用潜力。ZnO具有直接带隙能带结构,室温禁带......
各类光电器件的关键技术指标在近10余年内得到了快速提升,相关的技术进步过程伴随着固体物理、材料科学、光电子技术以及制造技术......
本文采用脉冲激光沉积法(PLD)，成功地制备了Fe-Pt/MgO纳米复合薄膜(Fe-Pt NCs：MgO)。采用高分辨透射电子显微镜(HRTEM)分析了薄膜的......
钐钻(SmCo)作为一种新型的稀土永磁材料,一直受到受到人们的广泛关注,其在电声电讯器件、电机、电子器件等行业的应用越来越广泛。......
铜铁矿结构CuAlO2薄膜作为最早发现的p型透明导电氧化物材料，对透明LED、透明晶体管、透明光伏电池等全透明光电器件的实现具有重大......
非晶氧化物半导体(AOS)由于迁移率高,可以在低温下制备等优点而受到研究者的广泛关注。采用AOS作为沟道层的薄膜晶体管(TFT)被认为......
随着时代与科技的发展,人们身边的电子产品越来越多,像相机、智能手机以及平板电脑等等都在改变着我们的生活。这是一个信息爆炸性......
将多孔铝模板法和脉冲激光沉积法结合起来,制备硅和氧化锌的纳米结构薄膜,运用多种测试手段进行测量和分析,对硅和氧化锌纳米结构......
Ⅱ-Ⅵ族化合物ZnS是一种直接宽带隙半导体材料,光学带隙为3.7eV,有良好的光学和电学特性,无论是在光发射器件领域,还是在α粒子探......
铁电薄膜材料经过几十年的发展,各种性能研究及其应用日趋成熟。随着大规模薄膜集成电路及集成铁电器件的发展,大面积铁电薄膜的制......
钛酸锶钡(Ba_xSr_(1-x)TiO_3,BST)是铁电材料体系中有着优良介电性能的一种材料,其介电常数高、介电损耗小、热释电系数高、介电可......
多铁性磁电复合材料是集铁电性与铁磁性于一体的材料,它不仅具有单一的铁电性或者铁磁性,同时由于铁电性和铁磁性的耦合作用会产生......
本论文以水热法合成的Cu2ZnSnS4(CZTS)粉体为源，用脉冲激光沉积法制备了CZTS薄膜，组装了结构为FTO/CdS/CZTS/Mo的薄膜太阳电池；探讨了......
随着微电子集成技术的长足发展,以及光电子和传感器等相关技术向微小型化应用领域的不断拓宽,铁电薄膜材料的发展呈现出十分诱人的......
