导电细丝相关论文
随着摩尔定律的放缓和冯·诺依曼瓶颈带来的限制,传统的硅基存储器面临着严重的工艺技术引起的物理尺寸限制。阻变存储器具有结构......
近年来随着微型化和智能化电子器件及便携式电子产品的快速发展,忆阻器的研究技术日新月异,但无论其技术如何发展,其最终目的都是......
随着柔性电子概念的提出,人们纷纷将目光转向柔性电子器件的研发中,例如可穿戴设备,柔性太阳能电池和电子皮肤等。存储器方面,尤其......
随着特征尺寸的不断减小,Flash存储器已经进入后摩尔时代,其发展的难度越来越高,同时短板也逐渐显现。阻变存储器（Resistive Random......
自旋电子学是一门最新发展起来的涉及磁学、电子学以及信息学的交叉学科,其核心内容是通过主动调控固态系统中电子的自旋自由度,将......
随着信息时代的快速发展,数据、图像、视频等信息量日益膨胀,迫切需要开发低存取功耗、高存储容量以及多功能特性的存储器。目前主......
近年来,随着人类迈入大规模信息和多媒体时代,人们对电子产品存储性能的要求越来越高,例如:大容量、高密度、快存取、非易失以及小......
阻变随机存储器（ReRAM）,由于其优异的器件性能极有潜力成为下一代非易失性存储器:结构简单、尺寸缩减能力强、超快的操作速度以及低......
阻变存储器(RRAM)作为下一代非易失性存储器的重要应用受到越来越广泛的关注,其中,无机阻变存储器相对于有机存储具有结构简单、制......
半导体存储器是信息处理和存储的核心部件,其市场份额在整个集成电路产业占据较大的比重,是信息技术产业的重要组成部分。然而,传......
新型非挥发性存储器能够满足高密度信息存储和高性能计算的性能需求,其最有潜力成为下一代存储器。新型非挥发性存储器主要包括相......
目前由于传统的闪存存储器达到了自身的物理临界尺寸,难以进一步突破纳米级的制备技术,因此很难满足当前社会对信息技术的超高精度......
随着大数据时代的到来,阻变存储器由于具有操作速率快、存储密度高、能耗低等特点而备受关注。负微分电阻效应是一种电流随电压增......
近年来,阻变存储器由于其结构简单、操作速度快、功耗低、读写速度快等优点而受到人们的广泛关注,成为下一代非易失性存储器的潜在......
随着科学技术的发展和时代的进步,人们对器件尺寸的要求不断小型化,半导体器件面临着巨大的压力和技术上挑战。虽然闪存(flash)等......
伴随物联网时代数字信息的爆炸性增长,急需研究用于数据处理的快速且可扩展的新型存储与计算技术。在新兴的存储技术中,基于电阻切......
阳离子基阻变器件（也称导电桥阻变器件）,是一种基于电场/热场作用的电化学效应器件,在非易失性存储器、易失性选通管、非易失逻辑运......
信息化革命推动了集成电路技术的快速发展,集成电路技术在当今的信息化时代已经扮演了重要的角色。此外,科学家和产业界人士对电子......
随着信息化时代的到来,大容量、低功耗和低成本的非挥发性存储器在电子市场中占据着越来越重要的位置。然而,目前基于浮栅结构的Fl......
随着科技的进步和生活节奏的加快,人们对芯片的处理速度、功耗等性能的要求也越来越高。尤其是当今盛行的非易失性存储器即将达到......
阻变是指经过外加电压的调控可以在高阻态和低阻态重复转变现象,已经在很多金属/阻变介质/金属结构中观察到,这种阻变特性可以用来......
采用磁控溅射系统在Pt衬底上构建了Ag/BiFeO3 (BFO)/Pt三明治结构的阻变存储器件单元,该器件可以在较低的限制电流下实现阻变行为......
采用电泳沉积法在FTO导电玻璃基片上制备Zn1-xCuxO薄膜,并对其微观结构、光致发光谱、伏安特性、保持特性和转换电压分布进行探讨......
采用简单的一步水热法在FTO导电玻璃上外延生长了锐钛矿TiO2纳米线,制备了具有Au/TiO2/FTO器件结构的锐钛矿TiO2纳米线忆阻器,系统......
近年来,为了满足人工智能技术进一步发展的需求,越来越多的研发团队将目光投向了全新的非易失性存储技术。阻变随机存储器(RRAM)是......
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随着通信、计算机和个人消费电子产品发展,市场对非易失性存储器的需求量越来越大,人们对存储设备的要求也越来越高。半导体工艺技......
随着便携式消费类电子产品的蓬勃发展,人们对非挥发存储器的容量和集成密度提出了越来越高的要求。为了提高存储器的集成密度,器件......
随着信息科学和电子器件技术的发展,器件的尺寸得到了不断的缩小。但是,当其小到纳米量级时,半导体技术就面临技术和物理理论的双......
采用磁控溅射方法沉积TiO2薄膜及电极层，制备W／TiO2／ITO薄膜阻变存储器单元。利用原子力显微镜、X射线衍射仪、X射线光电子能谱仪对薄......
柔性阻变随机存储器（Resistive Random Access Memory,RRAM）具有柔性性能良好、存储密度高、读写速度快、功耗低、结构简单等优势,被......
信息产业发展至今已经进入真正的大数据时代,通信网络、云计算、高端电子设备等每一天都在进行着数据的更迭,储存和处理。这一切都......
采用磁控溅射和光刻技术制备了阻变层为钛掺杂氧化铪的阻变存储器件(RRAM),研究氮气和氧气中退火处理工艺对其阻变性能的影响规律.......
目前,在非易失性存储器(NVM)领域内,应用最为广泛的是Flash存储器,然而,由于受到读写速度、寿命、工作电压等诸多因素的影响,Flash......
阻变存储器具有结构简单、速度快、存储密度高、易于三维集成等诸多优点,是下一代存储器的重要候选之一。文章详细介绍了阻变存储......
随着计算机和信息科技的飞速发展,当代社会对存储器提出了越来越高的要求,非易失性存储器(NVRAM, non-volatile random access mem......
氧化还原类阻变存储器是下一代高速、高密度和低功耗非易失性存储器的有力竞争者,对其机理的探讨、性能的优化和应用的拓展一直以......
随着半导体工业即将进入22nm时代,半导体存储行业面临着技术与基础材料等方面的机遇与挑战。基于传统硅材料的非易失性Flash存储器......
忆阻器被认为是除电阻、电容、电感之外的第四种基本无源电子器件。其阻值能够随流经电量而发生改变，并且记住它的状态。近年来，忆阻......
21世纪大数据时代对高密度信息存储需求越来越迫切,传统闪存存储器面临21nm技术节点的物理尺寸极限,越来越难以满足与日俱增的高密......
