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大通量辐照的NTD CZ Si 高温退火行为

本文研究了大通量辐照(10~(12)n/cm~2)的NTD CZ在750—1200℃范围内退火的行为。发现在该温度区间内会产生高浓度的“中照施主”,......

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中子嬗变掺杂目标电阻率高温退火 NTD CZ Si 电阻率变化退火温度退火条件中子辐照填隙温度区间

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