退火条件相关论文
激光的出现带动了光通信，光信息处理与光传感等各种新技术的发展。集成光学的出现为光波传输和处理提供了理想的波导结构形式。集成......
研究了不同退火条件对氢离子和氦离子注入铌酸锂平面波导中折射率分布的影响。在不同时间和温度下退火处理后用棱镜耦合法测量了两......
键合点根部损伤是Al丝超声键合工艺中最常见的问题之一,严重的根部损伤不仅使焊点的键合强度降低,甚至会使键合点失效。本文通过优......
目前关于软化退火铝板的深冲性能已有过许多报道。然而有关硬状态的深冲性能方面的论文还很少。本文研究了不可热处理强化的铝合金......
非晶氧化物半导体(Amorphous Oxide Semiconductors,AOS)被广泛认为是可以取代传统的非晶硅作为新一代显示技术的薄膜晶体管(Thin ......
利用等离子增强原子层沉积技术(PEALD)在c面蓝宝石衬底上制备了氧化镓(Ga2O3)薄膜,研究了退火气氛(v(N2)∶v(O2)=1∶1(体积比)、空......
本文研究了SiO_2掩蔽膜硼离子注入硅的卤钨灯辐照快速退火,测量了注入层表面薄层电阻与退火温度及退火时间的关系,得到了最佳的退......
研究了掺铈铝酸钇(Ce:YAP)晶体的自吸收机理以提高其光产额等闪烁性能。用提拉法生长了不同掺杂摩尔分数的Ce:YAP闪烁晶体。室温下......
研究了激光冲击AZ31镁合金在不同退火条件下的力学性能及其断口形貌。结果表明:随着退火温度及退火时间的增长,合金的硬度逐渐降低......
本文将PMMA和PS在共溶剂四氢呋喃(THF)进行溶液共混然后用spin-coating方式制成薄膜,应用AFM追踪了在退火条件下薄膜的相结构的演......
铁电薄膜作为一种光伏替代材料,在未来光伏应用方面展现出了巨大的潜力。近年来,铁电光伏效应以独特的电子-空穴分离方式和高的开......
纳米材料科学是新兴起来的一门学科，至今已有三十年的历史。SiO2纳米材料是新型纳米材料，其特有的性质，如：小体积效应、量子尺寸效应、......
GaN基宽禁带半导体材料具有优异的物理和化学性质，已被广泛用于全彩显示、信息指示和照明领域，成为当今半导体技术发展的热点。目前，G......
随着社会科技的高速发展,不可再生能源的枯竭和与之带来的环境问题日渐突出,研究和开发新型可再生环保能源逐渐成为全球性课题。太......
随着人们对信息存储和信息处理方面的要求逐步提高，存储器件的多功能化是必由之路。因此，对同时具有磁性和铁电性、有望实现磁电相互......
聚合物太阳能电池由于其制造成本低、柔性可卷曲、可以大面积制造和生产低污染受到了科研工作者的广泛青眯，现在已经有人提出把聚合......
氧化锌(ZnO)是一种II-VI族直接宽带隙新型半导体,室温禁带宽度约为3.37eV,激子束缚能高达60meV。在大气条件下,ZnO具有六方纤锌矿......
研究了退火温度、退火时间和保护气氛对于Ｆｅ36Ｎｉ合金表面微量元素浓聚的影响。试验合金的化学成分含Ｃ0007%,Ｓｉ004%,Ｍｎ028%,Ｎｉ3604%,Ｃｒ008%;保护......
采用三种不同的双光记录方案进行了LiNbO3:Fe:Ni晶体全息存储实验,详细研究了饱和衍射效率、固定衍射效率、动态范围和记录灵敏度,......
用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)法在n-Si(100)单晶衬底上制备了TiO2薄膜;利用X-射线衍射技术研究了不同条件下退火的TiO2薄膜的......
采用金属离子注入法形式CoSi2/Si肖特基结并分析电学特性.分别测量不同退火条件下样品的I-V、C-V特性,得出了各样品的势垒高度、串......
研究了冷轧和退火条件对高强IF钢性能的影响，结果发现，无论在何种退火条件下，增加冷轧压下率有利于深冲性能的提高，提高退火温度对高强......
以GaN、GaP、GaAs等为代表的化合物半导体材料具有禁带宽度大、电子迁移率高、漂移速度大、本征电阻率大等优点,在军事雷达、航空......
用溶胶-凝胶法在不同衬底上制备了新的钽酸锂薄膜；研究了环氧树脂掺杂、甩胶转速、衬底效应、热处理温度和气氛等薄膜制备工艺条件......
用溶胶凝胶法在ITO衬底上制备了钽酸锂（LiTaO3）薄膜，利用XRD、SEM和AFM对薄膜的晶向、表面形态等作了表征；研究了不同溶剂对LiTaO3溶胶......
本文采用射频磁控溅射法在硅基片上沉积YIG薄膜，主要研究了退火条件对YIG薄膜性能的影响。研究结果表明在750℃退火4小时制备的薄膜......
针对CrSi薄膜电阻稳定性，对CrSi薄膜电阻阻值变化的机理进行分析；通过开展退火条件对CrSi薄膜电阻稳定性的影响实验，获得优化的退火条......
分析了CrSi薄膜电阻阻值的变化机理，并以此作为理论指导，开展退火工艺条件对铬硅薄膜电阻稳定性影响的实验，得到优化的退火工艺条件，可......
用Al部分替代Nb制备了Fe73．5Si13．5B9Cu1Nb3-xAlx非晶条带，通过4种不同的退火方式得到其纳米晶样品，采用阻抗分析仪测量各样品的复数磁......
采用溶胶-凝胶法在普通载玻片上制备Sn掺杂ZnO薄膜（SZO薄膜）。研究空气退火、低真空退火、高真空退火、氮气退火、三高退火、循环退......
