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C=C双键对氟化非晶碳薄膜I-V特性的影响
研究了电子回旋共振等离子体技术沉积的氟化非晶碳 (a_C :F)薄膜的电学性质 .发现对于不同C_Fx 含量的薄膜 ,CC含量的增大对薄膜的......
期刊
氟化非晶碳(a-C:F)薄膜
直流伏安特性
C=C双键
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