直流反应相关论文
为了沉积高质量的硬质薄膜,避免直流反应溅射出现的靶中毒和打火现象影响薄膜质量和色彩。采用中频反应磁控技术在不锈钢基体上沉......
ZnO是Ⅱ-Ⅵ族宽禁带半导体材料。在室温下，ZnO的禁带宽度为3．37 eV，激子结合能高达60 meV。Mg掺入ZnO薄膜形成的ZnMgO薄膜的禁带宽度，......
该文在综述国内外ZAO薄膜的研究发展概况基础上,采用制备实验研究与理论分析相结合的方法,从生产应用的角度出发,对ZAO薄膜的宏观......
采用直流反应磁控溅射的方法，通过改变溅射功率、改变工作压强、改变衬底温度以及退火处理等方法，在玻璃衬底上制备了ZnO薄膜。通过X......
