ZnMgO薄膜相关论文
ZnO作为一种新型的II-VI族直接带隙半导体材料,其室温禁带宽度大、激子束缚能高等优点使ZnO在发光二极管(LEDs)、半导体激光器(LDs......
MgO和ZnO形成合金Zn_(1-x)Mg_xO的带隙可以在3.2-7.9eV之间变化，在制备紫外波段光电器件方面有着广阔的应用前景。由ZnO和Zn_(1-x)M......
ZnO是一种Ⅱ-Ⅵ族宽禁带化合物半导体材料，属于六方纤锌矿结构。ZnO在光电、压电、热电、铁电等诸多领域都具有优异的性能，但是最具......
ZnO是一种Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料，具有直接宽带隙(室温下3.37 eV)，属于六方纤锌矿结构。ZnO的禁带宽度宽，激子结合能为60meV，远高于......
极性ZnO基异质结中存在自发极化和压电极化现象,将会导致器件发光效率降低和发光波长红移。为了消除极性ZnO基材料中存在的极化现......
学位
本文采用脉冲激光沉积(PLD)法分别在r面蓝宝石和p-Si基片上制备了Zn_(1-x)Mg_xO(x=0.1、0.3、0.5、0.7、0.9)薄膜和n-Zn_(0.5)Mg_(......
宽带隙半导体Zn1-xMgxO合金在光电应用方面具有的潜力使其受到广泛的关注。由于Mg含量不同可以实现Zn1-xMgxO禁带宽度在3.3～4.0eV范......
用电泳法制备了一系列ZnxMg1-xO薄膜.对ZnxMg1-xO薄膜的光致发光研究表明,在薄膜发射谱的紫外区域有两个显著的峰,分别对应自由激......
利用电感耦合等离子体(ICP)装置对分子束外延(MBE)法在Sapphire衬底上生长的Zn1-xMgxO薄膜的Mg组分进行了测试.经理论分析,得到使......
利用GaAs夹层掺杂的新方法,采用金属有机化学气相沉积(MOVCD)技术,通过控制生长温度,在蓝宝石衬底上成功制备出As掺杂的p型ZnMgO薄......
利用偏振光椭圆率测量仪对分子束外延(MBE)法在Sapphire衬底上生长的Zn1-xMgxO薄膜的薄膜折射率和厚度进行了测试.结合ICP法测得的......
利用直流反应磁控溅射技术分别在玻璃、n-（111〉Si、氧化硅（SiO2／Si）、石英衬底上制得Ga-N共掺杂ZnMgO薄膜。利用X射线衍射（XRD）、Hall实......
利用超声喷雾热解方法以不同的沉积温度（450～550℃）在石英衬底上制备出一系列ZnMgO薄膜。采用X射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）和光......
利用GaAs夹层掺杂的新方法,采用金属有机化学气相沉积（MOVCD）技术,通过控制生长温度,在蓝宝石衬底上成功制备出As掺杂的p型ZnMgO薄膜......
利用金属有机源化学气相沉积（MOCVD）生长方法,在2.5kPa和5kPa生长压强下,分别以sapphire（Al2O3）和ZnO为衬底生长ZnMgO薄膜。研究分析了......
针对目前关于退火温度对原子层沉积法(ALD)制备ZnMgO薄膜晶体结构和光学性质影响鲜有报道的现象,进行了相应的实验研究分析。采用A......
氧化锌（ZnO）是一种Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料，具有标准的六方纤锌矿结构。作为一种典型的发光材料，在蓝绿光、紫外光等短波长发光源方面......
在石墨烯问世之前,各种半导体材料是光电探测器件的主要结构单元,由于带隙的存在,半导体材料的光电转换效率普遍较高,并且对特定波......
ZnO室温下的禁带宽度为3.37 eV,吸收边位于紫外波段,在可见光区透明,与MgO合金化得到的更宽禁带的ZnMgO薄膜可应用在深紫外光电器......
稀磁半导体材料由于其在未来半导体自旋电子学器件中的巨大潜在应用而受到人们的广泛关注。近几年，3d过渡金属元素掺杂的具有室温铁......
