异质结场效应晶体管相关论文
过渡金属硫族化合物因其类石墨烯且带隙可调的特性,使其在光电子器件制备上拥有着诱人且广阔的前景。为了能将过渡金属硫族化合物......
氮化镓（GaN）材料具有宽禁带、高电子漂移速度、高热导率等优良特性,在功率半导体应用领域具有得天独厚的优势。同时,基于GaN材料的异......
信息化已成为当今社会发展的大趋势，微电子技术在推进社会信息化进程中起了很大作用。而半导体器件性能的提高直接影响了微电子技术......
随着通信设备、雷达等系统对器件大功率输出特性需求的逐步增加,第三代半导体材料应运而生。GaN作为第三代半导体材料中的代表材料......
AlGaN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs)作为GaN材料在电子器件应用中的重要代表,近二十多年来备受关注。一方面,AlGaN/GaNHFETs有效......
本论文分别以有无栅槽、栅长和源漏间距为唯一变量制备AlGaN/GaN HFETs，对比探究PCF散射对凹槽栅耗尽型AlGaN/GaNHFETs器件2DEG电子......
报道了蓝宝石衬底上AlGaN/GaN HFE T的制备以及室温下器件的性能.器件栅长为0.8 μm,源漏间距为3 μm,得到器件的最大漏电流密度为......
基于SiC衬底AlGaN/GaN异质结材料研制具有高电流增益截止频率(fT)和最大振荡频率(fmax)的Al-GaN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs).基......
采用再生长n+ GaN非合金欧姆接触工艺研制了具有高电流增益截止频率(fT)的InAlN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs),器件尺寸得到有效......
回顾了氮化镓(GaN)基异质结场效应晶体管(HFET)的发展，概述了它的直流和微波特性。制作氮化镓基HFET可以采用不同的器件结构，不同的......
用自组装的氨源分子束外延 (NH3-MBE)系统和射频等离子体辅助分子束外延 (PA-MBE)系统在 C面蓝宝石衬底上外延了优质 Ga N以及 Al ......
Ⅲ-Ⅴ族GaN基材料以其在紫外光子探测器、发光二极管、高温及大功率电子器件方面的应用潜能而被广为研究.低阻欧姆接触是提高GaN基......
从纤锌矿GaN的晶体结构和微电子学理论出发,介绍了GaN基HFET中两种极化效应的物理机制,分析了二维电子气(2DEG)的形成,极化与2DEG......
提出了一种能带调制模型，通过在异质结界面处引入负离子电荷（如氟离子）调制异质结处的局部能带分布，实现了对异质结界面处的高密度2DEG......
利用S参数分析和负阻分析设计了一个源端调谐的Ku波段HFET单片集成VCO，并获得了一次设计投片成功．提取了GaAs HFET的大信号模型，利用......
Ⅲ—Ⅴ族GaN基材料以其在紫外光子探测器、发光二极管、高温及大功率电子器件方面的应用潜能而被广为研究。低阻欧姆接触是提高GaN......
宽禁带半导体材料氮化镓（GaN）是第三代半导体的典型代表，AlGaN/GaN异质结场效应晶体管（HFET）已经成为了电力电子行业快速增长一个分支。......
综述了国内外半导体微波／毫米波低噪声器件及其电路、新型固体器件及其电路的发展现状与未来发展趋势，国内技术水平与国际水平相比的......
描述了固态微波器件与电路五个发展阶段,并重点就当前发展的InP HEMT、窄禁带材料HEMT和HBT、宽禁带材料MESFET和HEMT、RF CMOS、I......
<正> 一、引言在相同尺寸下,砷化镓集成电路与硅集成电路相比较,前者可获得较高的速度,或在相同速度下获得较低的功耗。此外,砷化......
GaAs宽带微波功率单片集成电路以其良好的技术性能和可靠性,已广泛应用于卫星通信、机载火控雷达、电子对抗、导弹制导系统和其他......
作为制备光电子器件例如紫外光子探测器、异质结场效应晶体管（HFET）、高电子迁移率晶体管（HEMT）异质结场效应管等的一种宽禁带半导体材......
