相变随机存储器相关论文
相变随机存储器具有读写速度快、循环擦写次数高、存储容量大以及与CMOS工艺兼容等优点,满足了人们对海量数据的存储需求,其基本组......
相变随机存储器（PCRAM）具有高速、低功耗、高存储密度等特性,被认为是最有潜力的下一代非易失性存储技术。基于PCRAM技术的神经形态......
基于相变存储(PCM)的相变随机存储器(PRAM)具有高密度、非易失、低功耗等优点，被认为是传统的动态随机存储器(DRAM)的替代品。目前......
在新一代非易失性存储器件的研究中,相变存储器以其高读写速度和高可靠性等优点脱颖而出。相变存储器是基于相变材料晶态和非晶态......
硫属相变随机存储器(Chalcogenide based phase-change Random Access Memory,CRAM)利用存储介质的可逆相变实现信息存储,以其优越......
相变随机存储器是一种新兴的、被认为最有希望成为下一代主流的非易失性固态存储技术。基于相变随机存储器的存储原理、有限元法和......
作为目前最有可能取代FLASH成为存储器市场上下一代主流产品的相变随机存储器,在近段时间获得了迅猛的发展。相比其他市场上的主流......
随着摩尔定律的不断推进，集成电路工艺尺寸已经进入纳米时代。在越来越小的单元尺寸下，Flash技术已逐渐不能满足需求，而最有可能成为......
本论文综合利用衍衬像(DCI)、选区电子衍射(SAED)、高分辨像(HREM)、电子能量损失谱(EELS)、X射线能量色散谱(EDS)及扫描电子显微......
文章提出一种具有非对称结构的新型相变存储器单元结构,并通过有限元方法对该非对称结构相变存储单元进行了三维电热模拟。模拟结......
介绍了相变随机存储器（PCRAM）的研究现状，包括新型相变材料、热阻层材料和器件结构等。分析了GeSb和SiSb等相变材料具有组分简单、数......
基于DRAM的内存子系统在容量不断增大的过程中消耗了40%的能量。相变随机访问存储器PRAM（phase-change random access memory）作为潜......
