相变存储相关论文
随着摩尔定律的发展,基于MOS结构的存储器件逐渐逼近物理极限。同时,尺寸微缩和工艺迭代的成本壁垒迫使产业界寻找新的存储方案。......
自大数据时代以来,信息量的爆炸式增长,给数据的存储和处理提出了巨大的挑战,不断促使人们寻求低成本、高可靠性的高速的存储方案......
在非易失存储器领域和热电领域,硫系材料是最引人注目的材料。相变存储器利用亚稳态非晶相和亚稳态盐岩立方相之间的可逆快速相变......
相变存储器被认为是最有可能取代目前的SRAM、DRAM、FLASH等产品的下一代非易失性存储器之一[1]。该器件依赖于一种相变存储材料。......
存储器在半导体市场中占有重要的地位，仅DRAM(Dynamic Random．AccessMemory)和FLASH两种就占市场的15％，随着便携式电子设备的不断普及，......
为了提高相变存储器和DRAM所组成混合内存中PCM的耐久性,减少页面在PCM上的写操作,通过一个新公式结合写访问频率的统计和最近写访......
为了使采用直接蒸汽技术的太阳能热力发电达到商业化应用，须开发与之配套的高效、价低的高温潜热储能系统。提出了采用铝片强化高温......
以GeSbTe及AgInSbTe等硫系合金化合物为载体,较全面地介绍了当前相变存储研究领域比较热门的几种存储方法,对各自的研究进展作了必......
利用电子回旋共振CVD设备制备了一种硫系GeSbTe薄膜，并用纳米硬度计考察了其抗压性能，同时采用划痕实验以及摩擦力显微镜研究了GeSbT......
新型技术不断涌现，其中：系统虚拟化技术在一台物理机上运行多台虚拟机，提高了资源分配的灵活性和使用效率；相变存储技术利用介质在不同......
提出一种新的相变存储器(PCM)和DRAM混合内存偏向写调度缓冲区页面调度策略(FWLRU)。该策略根据PCM和DRAM在读上区别不大,所以只进......
提出了采用石墨片以强化高温潜热储能系统传热的新结构，并用Fluent软件模拟了该储能系统在释能过程中的瞬态二维传热问题。最后，对影......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
学位
氧化锌(ZnO)因其优异的光电、压电特性而备受瞩目,然而其p型掺杂困难(本征生长呈现n型)已经成为阻碍其广泛应用的障碍。而相变存储......
