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瞬间增强扩散相关论文

采用红外快速热退火的晶体管TED效应与沟道尺寸的关系研究

硼的瞬间增强扩散(transient enhanced diffusion,TED)导致MOS晶体管出现反短沟道效应,阈值电压异常升高,严重影响器件性能和良品......

期刊

瞬间增强扩散阈值电压离子注入沟道尺寸间隙硅原子红外快速热退火

离子辐照对单晶Si中预注入B原子扩散的影响

室温下使用MeV能量级Si,F和O离子对5keV B离子预注入后的n-型单晶Si(100)进行了辐照,应用二次离子质谱仪测试分析了掺杂物B原子的......

期刊

注入瞬间增强扩散二次离子质谱仪单晶Si

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