单晶Si相关论文
单晶Si是重要的半导体材料,由于其较好的耐高温抗辐射等特性被广泛应用于大规模集成电路制造、微电子元器件及太阳能电池等产业,成......
多孔材料由于其特殊的性能，应用领域不断地拓展，特别是在环境工程领域。本文利用Nadezhda-2型强流脉冲电子束装置对纯Cu、奥氏体304......
回顾了低能离子注入单晶 Si经由核弹性碰撞引起的损伤特征及其常规的研究方法 ,介绍了快重离子辐照单晶 Si经由电子能损引起的损伤......
室温下使用1.55 MeV、5×1013-5×1016/cm2注量的3He离子注入单晶Si,采用透射电子显微镜(TEM)观测分析了高温退火后单晶Si中由注入......
期刊
室温下使用MeV能量级Si,F和O离子对5keV B离子预注入后的n-型单晶Si(100)进行了辐照,应用二次离子质谱仪测试分析了掺杂物B原子的......
使用二次离子质谱仪分析了附加的空位型缺陷对单晶Si中注入B原子热扩散的影响.Si中B原子是通过30keV B离子室温注入而引入的,注入......
40、160和1550 keV能量的He离子在室温下注入单晶Si样品到相同的剂量5×1016 ions/cm2,采用透射电子显微镜(TEM)研究了800℃退火1h......
室温下使用1.55 MeV、5×1013-5×1016/cm2注量的3He离子注入单晶Si,采用透射电子显微镜(TEM)观测分析了高温退火后单晶Si......
室温下使用40 keV He离子注入单晶Si样品到剂量5×10^16 cm^-2,分别采用透射电子显微镜（TEM）、热解吸谱仪（THDS）、光致发光谱仪（PL）......
H和He离子联合注入单晶si可以促使其表面产生发泡、剥落和层离等表面损伤，由此引发了一种有效地制备SOI材料的新方法，即智能剥离技术......
室温下将40 ke V的H离子以不同剂量注入到单晶Si样品中,部分H预注入的样品又进行了190 ke V O离子注入。采用光学显微镜和透射电子......
本文利用UMT-2M微摩擦试验机,采用线性加载条件下的刻划方式考察了单晶硅表面的微摩擦性能,并采用扫描电子显微镜对其机理进行分析......
由于电火花线切割放电过程很难通过理论分析得到有效的切割机理数学模型。引入中心复合实验设计（Central composite design，CCD）实验......
采用1064 nm纳秒脉冲激光辐照单晶Si、单结G As太阳能电池,针对不同强度激光辐照太阳能电池的损伤特性进行了实验研究,得出激光光......
采用Box-Behnken Design（BBD）设计实验,研究高速线锯切割过程中线锯速度、进给速度和工件转速三个工艺参数对单晶Si切割力的影响,通......
太阳电池单晶Si片表面制绒已是一项成熟的工艺,但普遍制绒时间较长。为提高制绒效率,本课题研究了较短时间内NaOH/异丙醇(IPA)体系......
