砷化镓晶体相关论文
从熔体中生长砷化镓时，由于重国引起的热对流，往往在晶体中会产生杂质条纹影响材料的质量，在消除杂质条纹的措施中，除在空间微重力这一......
砷化镓单晶是继硅单晶以后的第二代重要的半导体材料,它是半导体器件和集成电路的重要原材料。液封直拉法是生长砷化镓单晶的最重......
太赫兹(THz)电磁波主要是指波长在3mm~30μm范围内的电磁辐射。超快激光技术的出现,为太赫兹电磁波的产生提供了稳定的触发光源,从......
根据光电导探测器的基本原理以及对国内外光电导探测器光阴极材料和各种光电导探测器结构进行的研究状况，设计了一种快响应硬X光光......
比较了掺Ｉｎ和非掺杂ＬＥＣ－ＧａＡｓ晶体中的ＥＬ２缺陷，分析了掺Ｉｎ量的不同与热处理过程的不同对ＬＥＣ－ＧａＡｓ晶体中ＥＬ２缺陷的影响。......
对GaAs极化电子源中GaAs晶片的激活过程进行了实验研究，着重采用2种不同的激活过程摸索了实验过程中的相关物理参量，以达到最佳的激......
使用<511>取向Ga As籽晶,在直径2英寸的p BN坩埚中生长了2.5%Bi掺杂的Ga As晶体。能量分散谱仪(EDS)和透过光谱均有Bi相关谱峰的存......
利用坩埚下降法生长红外砷化镓晶体,坩埚下降炉控温1 260℃,晶体以2.5mm/h速度在温度梯度为10℃/cm的条件下结晶生长.PBN坩埚外壁......
采用坩埚下降法进行了太阳能电池用砷化镓晶体的生长研究。掺杂硅含量为万分之五可使砷化镓晶体的载流子浓度达到太阳能电池使用要......
在电光取样技术和高速光通信系统中,对1.31μm和1.55μm这两个重要波长的超短激光脉冲测量变得越来越重要。而砷化镓的双光子响应......
作为第二代半导体材料,Ga As晶体自60年前被发现以来已广泛应用于激光、通讯和显示等领域,并发展出液封提拉法、水平布里奇曼法、......
