随着半导体集成电路行业的急速发展，CMOS器件的尺寸也不断小型化，此时传统Si基MOS器件的尺寸也逐渐的接近它的物理极限。GaAs因其高......

立方 Ga As (10 0 )衬底上制备的 Ga N薄膜多为立方结构且立方相为亚稳相 ,采用水平常压 MOCVD方法在立方 Ga As (10 0 )衬底上制......

<正>镓是我国具备资源优势的金属品种之一。金属镓是制备砷化镓、氮化镓单晶半导体材料的主要原料。随着国内外传统射频通信和LED......

针对砷化镓（GaAs）衬底上螺旋电感提出了一种改进形式的集总参数等效电路模型，该等效电路模型能很好地表征螺旋电感的高频效应。同时，应......