金属氧化物半导体器件相关论文
随着单片集成技术的发展,高压BCD工艺集成技术也得到了相应的提高.此设计中在保证击穿电压与SR(single RESURF)结构相近的条件下,......
会议
本文主要研究了22nm栅长的异质栅结构MOSFETs的特性,利用工艺与器件仿真软件Silvaco,模拟了异质栅MOSFETs的阈值电压、亚阈值特性......
会议
提出了一个改进的MOSFET超低温阈值电压模型.MOS器件在超低温环境在会出现阈值电压偏移等特性,标准的BSIM模型不能准确表征MOSFET......
会议
本文总结了MOS管在版图结构设计方面可以采取的抗总剂量辐射加固措施,探讨了这些措施的作用机理及优缺点.基于这些,本文提出了一种......
会议
SOILDMOS（绝缘体上硅横向双扩散金属氧化物半导体）器件是应用最为广泛的功率器件之一，是功率集成电路设计的核心部分。因为SOILDMOS器......
随着MOSFET特征尺寸的不断减小,Si基MOS器件的发展不断逼近其物理极限,栅极漏电的增加直接导致器件不能正常工作,为减小栅极漏电,......
过去的数十年中，硅基功率器件一直在电力电子领域发挥着至关重要的作用。但目前受限于其物理特性，硅基技术已经难以满足日渐增长的功......
学位
随着半导体集成电路行业的急速发展，CMOS器件的尺寸也不断小型化，此时传统Si基MOS器件的尺寸也逐渐的接近它的物理极限。GaAs因其高......
功率MOSFET器件组成桥臂式拓扑结构时,由于其内部寄生的二极管反向恢复特性较差,开关过程将产生较大的反向恢复电流,引起关断电压......
在不同漂移区浓度分布下,通过二维数值模拟充分地研究了薄膜SOI高压MOSFET击穿电压的浓度相关性,指出了击穿优化对MOSFET漂移区杂......
静电放电（ESD）对半导体器件,尤其是金属氧化物半导体（MOS）器件的影响日趋凸显,而相关的研究也是备受关注。综述了静电放电机理和3种常......
期刊
功率MOSFET器件组成桥臂式拓扑结构时,由于其内部寄生的二极管反向恢复特性较差,开关过程将产生较大的反向恢复电流,引起关断电压......
