硅基激光器相关论文
自1958年集成电路芯片问世以来,受益于现代工业大规模集成电路制造技术的进步,芯片产业实现飞速发展,人类的工作和生活也因此发生......
研究了一种超薄硅单层与掺铒硅单层／金属薄膜／硅衬底（Si：SiEr／Metal／Si,SEMS）型硅基激光器结构。利用表面等离子体激元局域增强效应提升了......
硅基光互连技术是解决目前电互连制约瓶颈的有效手段,而实用化集成光源的制备对硅基芯片功耗的降低和尺寸的减小有着十分重要的意......
硅基激光器的研制对于新兴的硅基光子学的发展具有重要意义,介绍了硅基材料中喇曼散射的原理、特点,并总结了硅基喇曼激光器的发展......
采用键合技术在Si基上制备了InP-InGaAsP量子阱激光器,实现了电注入室温连续工作.采用低温直接键合的方法,将Si衬底和InP-InGaAsP......
光通信对高带宽要求的不断增强以及计算机芯片对高性能计算的不断需求刺激了硅基光子器件的发展,使之向集成化、低成本方向发展,并......
光子晶体具有许多特异的物理性质以及很好的控制光子的能力,因此在微光学与光集成等领域有着广阔的应用前景。论文在理论方面研究......
随着芯片产业的快速发展,对集成化的要求越来越高,电互连技术已经越来越接近其瓶颈——随着器件尺寸的不断减小,电子器件尺寸已经......
