绝缘硅相关论文
大截面绝缘硅(SOI)单模脊波导在通信系统中应用广泛，有必要验证文献中给出的单模条件。对于两个满足单模条件的脊波导例子，用标量有......
光谱分析在现代社会中起到至关重要的作用。随着光谱技术、计算机以及MEMS制作工艺的发展,光谱仪器开始走向小型化,便携化,测量快......
FD-SOI(全耗尽绝缘硅)是指一种平面晶体管结构。这种平面架构是通过在绝缘硅片晶圆超薄的绝缘氧化埋层(BOX)上再生长一层超薄的单......
微软的Xbox 360和索尼的PlayStation 3与IBM、Sun和Dell最新推出的多处理器服务器、以及奔驰、宝马和其他汽车中采用的网络系统之......
依据耦合模和传输矩阵理论,设计了一个新型单微环三耦合点的可调谐微环滤波器模型,并模拟仿真了输出端口的光谱特性。模型结构中,......
GlobalFoundries宣布推出其全新的“22FDX”工艺平台，成为全球第一家实现22nmFD-SOI（全耗尽绝缘硅），专为超低功耗芯片打造。FD—SOI技......
美国国家半导体日前推出全新绝缘硅（SOI）BiCMOS工艺技术——VIP50工艺。VIP50工艺技术（VIP是垂直综合PNP工艺技术的简称）为供电电压介......
提出了包含射频有源和无源器件的SOI集成结构及工艺方案,在同一SIMOX衬底上制作了射频LDMOS、NMOS、电感、电容、电阻和变容管.核......
针对既有硅基低g值MEMS惯性开关的加工工艺复杂、加工周期长以及成品率低的问题,提出改进的结构设计和工艺方案。设计以圆形质量块......
恩智浦半导体推出新一代汽车位置传感器KMA210。KMA210集成了恩智浦新的磁阻传感器芯片以及基于恩智浦绝缘硅（S01）ABCD9工艺制成的独......
光通信对高带宽要求的不断增强以及计算机芯片对高性能计算的不断需求刺激了硅基光子器件的发展,使之向集成化、低成本方向发展,并......
设计了一种基于绝缘硅材料的超小微环相移器,能够在自由频谱范围内实现2π相移的同时相移达到最佳线性化.根据全通微环谐振器的相......
本文致力于研究绝缘硅波导(SO1)中基于三阶非线性效应四波混频(FWM)过程的波长变换。目的在于了解SOI内部的非线性效应,寻找SOI波......
归功于硅材料在微电子学上的统治性地位及其在光子学应用上的诸多优势,硅基平台正日渐成为集成光路的主流平台。随着近来硅基有源......
近日美国国家半导体公司(National SemiconductorCorporation)推出崭新的VIP50工艺技术及基于此技术制造的6款高精度及低电压放大......
<正>第五代移动通信(5G)技术的快速发展对芯片产业提出了新的需求,也给我国5G芯片发展带来了新的机遇和挑战。我国在稳步推进5G标......
市场的竞争使得硬件设备的利润不断下降,芯片开发商不得不寻求更加廉价的芯片方案以迎合市场要求,III-V族半导体(如GaAs)在单片微......
采用电子束光刻和感应耦合等离子刻蚀等工艺，研制了一种基于绝缘硅材料的的微环谐振可调谐滤波器．滤波器微环半径为5肚m左右，波导截面......
