微盘激光器相关论文
硅衬底GaN基微盘激光器模式体积小、功耗低,在光电集成、单光子发射、化学生物探测等领域具有重要的应用前景。常规GaN基微盘激光......
硅基光子学与传统硅基微电子工艺兼容，被认为是实现光互联和光电集成的一种可能路径.然而硅为间接带隙半导体，无法高效发光.GaN基材......
基于回音壁模式(Whispering Gallery Mode,WGM)的谐振微腔具有高品质因子和小模式体积等特点,这有利于实现低阈值激光输出。文......
利用溶液法制备的钙钛矿微/纳米晶虽然可以得到性能良好的微型激光器,但是其所需生长周期较长且缺乏重复性.为了解决这一问题,提出......
近年来，硅基Ⅲ-Ⅴ族混合集成技术的研究逐渐成为硅光子学的热点。它利用异质材料集成技术将有源光器件与与硅基光电器件集成在同一......
光学微腔中偶极子自发辐射受到空间和频谱调制,能实现自发辐射增强或抑制效应,而且其有源区体积可以非常小,有利于极低阈值工作和......
采用平面工艺制作的定向输出微腔半导体激光器是集成光学回路的理想光源。近十几年来,以微盘为代表的回音壁模式(wldspering-gall......
经过外延生长和腐蚀分离后,直径为1～10μm的独立微盘激光器件分别被粘附在多模光纤的端面上。在室温条件下采用光学泵浦,对该类器件......
本研究用扫描电镜（ＳＥＭ）电子束曝光技术和相应的计算机联机成像程序，在ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ液相外延片上形成电子束光刻图形，并采用选择腐蚀等技术，由ＫＹＫＹ－１０００ＢＳＥＭ并附Ｘ射线能......
设计了一种以半导体材料InGaAsP作为核心结构的器件表面蒸镀二氧化硅膜层,在其上蒸镀金膜层,构成金属电介质半导体微盘激光器结构,......
为了实现半导体微盘磁光器的单模面发射，设计了一种以ＩｎＧａＮ多量子阱为有源层，ＣａＮ外延层为覆盖层的半导体微盘激光器。通过对ＧａＮ覆盖层进行图形刻......
利用普通的液相外延和微加工技术成功地制备了ＩｎＧａＡｓＰ单量子陆微盘激光器，并从实验上观测到远低于普遍激光器阈值条件下的单模振荡，证实了微......
采用湿法化学腐蚀在气洙ＭＢＥＩｎＧａＡｓＰ多量子阱材料上制作了微盘型激光器，直径８μｍ的微盘激光器表现出很好的单模激射特性，阈值泵浦功率为１７０μＷ，激射线宽......
随着芯片产业的快速发展,对集成化的要求越来越高,电互连技术已经越来越接近其瓶颈——随着器件尺寸的不断减小,电子器件尺寸已经......
半导体微盘激光器具有几何形状简单、体积小、低阈值、高Q值以及可集成度高等特点,可以作为大规模光子集成电路和超大规模光通信系......
回音壁型光学微腔由于其极高的品质因数和超小的模式体积等特性近些年来倍受人们的广泛关注,已成为现代微光学器件和腔量子电子学......
半导体微腔激光器由于其高集成度、低阈值、低功耗等优点而在通信、光互联和光神经网络等方面有着广阔的应用前景,并且作为最早发......
提出一种热压法制备微盘激光器的工艺,仅使用实验室常用电阻加热炉具即可制备出不同直径/厚度的微盘激光器.选用TeO2-ZnO-Na2O碲酸......
