硅孔相关硕士博士期刊学术论文 - 搜论网

硅孔相关论文

沟槽型VDMOS源区的不同制作方法研究

沟槽VDMOS产品为满足电性能力要求,源极区域必须与p型体区短接,为了达到此目的,传统的做法是,源极需要进行一次光刻,在p型体区中做......

期刊

沟槽垂直双扩散晶体管源极单脉冲雪崩击穿能量硅孔

平面型VDMOS源区的不同制作方法研究

平面型VDMOS在制作源区时,常规做法是利用掩模板进行一次光刻,然后再进行源区注入。提出3种其他的制作方式,在保证器件电学性能的......

期刊

平面垂直双扩散晶体管源极单脉冲雪崩击穿能量硅孔侧墙

看过本文同时还关注