源极相关论文
目前碳化硅(SiC)被广泛视为下一代功率器件的材料,因为它比硅的电压更高,损耗更低。然而,虽然碳化硅器件具有很大的发展前景,但该......
通常引起场效应晶体管(MOSFET)失效的主要原因是漏极-源极之间的电压(UDS)过高。电感负载的通断可使得场效应晶体管的UDS超过击穿......
准一维纳米材料，主要包括纳米线／棒、纳米管、纳米带、纳米同轴电缆、异质结和超晶格纳米线等。在这些材料中，Ⅱ—Ⅵ族的一维纳米材料......
驻极体传声器是一种能将声音信号转换成电信号的声-电转换器件,因其体积小、重量轻、结构简单、灵敏度高、价格便宜等优点而被广泛......
观察了双层辉光渗金属过程中源极溅射后的成分以及形貌, 利用X射线衍射对源极溅射表面进行了相分析, 并且用Thermo-cale软件进行了......
介绍了双层辉光离子渗金属技术的基本原理和技术特点，源极、阴极及辅助阴极设计的基本原则，离子渗金属的两种放电模式及其产生的效应......
本文以65 UHD TFT-LCD作为研究对象,针对成盒后的源极线断路不良,探究不同激光参数对维修后显示效果的影响。通过对比维修后不同显......
沟槽VDMOS产品为满足电性能力要求,源极区域必须与p型体区短接,为了达到此目的,传统的做法是,源极需要进行一次光刻,在p型体区中做......
