硅悬挂键相关论文
随着信息技术的蓬勃发展,集成电路集成度不断提高,器件的特征尺寸不断缩小,传统的非挥发性存储器正面临着发展瓶颈:不断缩小的器件......
近年来,RRAM器件作为下一代非易失存储器应用的主要候选者已经被广泛地研究。其中基于SiN_x薄膜的RRAM器件凭借超低功耗、高速度、......
该文研究了N,Er的联合掺杂对a-Si的作用.所有样品采用射频辅助磁控溅射方法制备.随着N掺杂浓度的增加,Er PL的热猝灭效应下降.但Er......
研究了钝化层退火工艺引入的氢对P-Flash存储器耐久性的影响,建立了这一影响的物理模型,阐明了耐久性退化的机理.在四种不同测试条......
期刊
采用直流等离子体增强化学气相沉积（PECVD）法在（100）单晶硅片表面生长富硅氮化硅薄膜,研究了不同的退火温度对氮化硅薄膜发光性质和结......
