硒化锌薄膜相关论文
ZnSe是一个宽的带隙(2.7eV)半导体材料,在短波长领域它是一种不可替代的光学材料。它对光电子吸收层有更高的通过率,这样可以更广......
ZnSe理化性质决定了其在半导体领域的广泛应用,而将ZnSe制备成薄膜应用在透红外材料,太阳能薄膜电池上是本研究的重点,要求制备出......
ZnSe作为一类具备了直接能隙(2.7eV)的半导体材料，考虑到其在半导体仪器的应用上占有很大优势，并且具有广大的发展空间，例如能够成为......
研究了作为缓冲层的ZnO薄膜在不同的退火时间、退火温度下退火对Si衬底上生长ZnSe膜质量的影响。当溅射有ZnO膜的Si(111)衬底的退......
