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碳化硅场效应晶体管相关论文
存在界面陷阱的n沟6H-SiC MOSFET温度特性研究
利用二维器件仿真软件MEDICI建立了具有指数分布界面陷阱的n沟6H-SiC场效应晶体管的结构模型和物理模型,通过模拟研究,分析和讨论......
期刊
碳化硅场效应晶体管
特性模拟
界面陷阱
SiC-MOSFET
characteristic simulation
interface traps
SiC MOSFET在桥式变换器中的应用研究
对电力电子装置更高功率密度的不断追求,迫切需要电力电子装置的开关频率不断提高。以碳化硅、氮化镓为主的第三代半导体器件提升......
学位
碳化硅场效应晶体管
移相全桥变换器
寄生振荡
损耗分析
串扰效应
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