碳化锗相关论文
利用磁控溅射方法以CH4和Ar的混合放电气体溅射单晶Ge靶制备碳化锗（Ge1-xCx）薄膜，通过XPS、Raman和Nanoindentation等表征手段系统地......
利用磁控溅射制备碳化锗（Ge1-xCx）薄膜,系统地研究了生长温度（Tg）对所获薄膜成分及性能的影响并揭示了它们之间的内在关系。研究发现所......
利用磁控溅射方法在ZnS基底上设计并制备了一种Ge1-xCx双层膜,研究发现双面镀Ge1-xCx双层膜后,ZnS基底在8～11.5μm远红外波段的平均......
为了提高锗基底的透过率和环境适应性,镀制了增透保护膜。应用电子枪蒸发加霍尔离子源辅助的方法沉积了碳化锗(Ge1-xCx)薄膜。通过......
采用离子束溅射法通过在CH4和Ar的混合气体中溅射Ge靶材制备碳化锗（Ge_（1-x）C_x）薄膜.分别通过原子力显微镜、拉曼光谱和X射线光电子能......
碳化锗(GexC1-x)薄膜做为红外窗口材料的独特性能引起人们的关注。它具有低应力和低光吸收系数,与大多数红外基底材料结合良好,特......
