终端结构相关论文
碳化硅（Si C）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）作为宽禁带半导体单极型功率器件，具有频率高、耐压高、效率高等优势，在高压应用领域......
以氮化镓（GaN）为代表的第三代宽带隙半导体材料正在逐渐兴起。与传统的半导体材料相比,GaN具有良好的化学稳定性,高击穿电压,低导通......
作为能量变换和传输的重要器件,大功率晶闸管在诸如高压直流输电等领域得到广泛应用.随着电网对输电功率容量的要求越来越高,提高......
氧化镓(Ga_2O_3)是一种新型超宽禁带半导体材料,相比于第三代半导体氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)材料,具有能带更宽、临界击穿电场更......
功率MOS场效应晶体管在功率器件领域发展迅猛,高压VDMOS(Vertical Double-diffused MOSFET)作为功率MOS的主要器件之一,引起了相关......
为使3 300 V及以上电压等级绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的工作结温达到150℃以上,设计了一种具有高结终端效率、结构简单且工艺可实......
近年来，功率集成电路得到了突飞猛进的发展，集成度越来越高。作为最常见的高压功率器件之一，VDMOS更多地集成在芯片里，而不仅仅以分立......
IGBT是将微电子技术和电力电子技术结合起来的新一代功率半导体器件，是当前半导体分立器件的高端产品，应用范围广，市场需求大，发展前景......
目前,世界性能源危机十分严重,因此,节约能源对整个人类社会的生存和发展具有重大的意义。节能灯由于节能效果十分显著而逐渐成为......
绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor)是在功率MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)基......
学位
每一项电力电子新技术的出现和新装置的诞生都是以新型电力半导体器件的问世为契机。因此,电力半导体器件是电力电子技术的基础和......
超3G的移动通信系统是一种全IP的系统,它融合了因特网和移动通信的优点。BRAIN(基于IP的宽带无线接入网)的发展就是要把基于HIPERL......
设计了一个500V纯场限环终端结构。在保证击穿电压的前提下,为了尽可能减小终端结构所占的芯片面积,适当调整场限环终端的结构参数......
对一款700 V功率场效应管失效芯片进行亮点分析,并通过TCAD软件进行数值仿真验证失效原因。最后对失效管的终端进行了改进设计,在2......
基于B．J．Baliga的击穿电压理论，通过求解双边突变圆柱结的泊松方程，提出了单个浮置场限环终端结构的击穿电压解析模型。该模型计算结果......
目前研究的多模终端大多是在硬件上使用两套收发装置,来满足多模的需要.这给终端的灵活性带来了很大的不方便.本文基于改进型软件......
对击穿电压为60 V,导通电阻为10 mΩVDMOSFET进行了优化设计.给出了外延层电阻率,外延层厚度,单胞尺寸等的优化设计方法和具体值.......
为提高二极管雪崩击穿电流耐量,从斜角终端入手进行分析研究,利用Silvaco TCAD仿真软件对正、负斜角终端P+PNN+结构二极管雪崩击穿......
本文主要通过对场板和场限环终端结构的理论分析,介绍器件终端结构击穿电压随环间距、环宽度、场板长度等参数的变化规律。利用二......
目前,硅基高压大功率半导体器件依旧朝着高电压、大电流、低损耗的趋势发展。而功率器件所选用的终端结构会直接影响到器件的耐压......
随着无人驾驶、人工智能和机器人产业的发展,市场上对功率器件的需求日益迫切,因此对功率器件的研究也显得愈发重要。击穿电压作为......
大功率深结器件通常采用台面磨角技术和横向变掺杂(VLD)技术来提高其终端击穿电压,但由于VLD掺杂剖面难以精确控制并且对表面电荷......
近年来,电力电子技术飞速发展。然而,每一项新技术的出现和新装置的诞生都是以一代新器件的问世为契机。因此,电力电子器件是电力......
绝缘栅双极晶体管(IGBT)作为新一代的功率半导体器件,高电压大电流是未来的发展趋势,研究人员一直都将器件的表面耐压作为研究的重......
MOSFET器件具有驱动电路简单、开关速度快、无二次击穿等固有优点,广泛应用于军工产品、消费类电子、工业产品、机电设备、智能手......
针对终端结构耐压的提高,研究了高压P沟道垂直导电双扩散型场效应晶体管的场限环和场板复合耐压终端结构,提出了一种采用单N＋偏移区......
该文从国内生产线的实际出发，简单介绍了目前国内主流功率VDMOS器件生产厂家所采用的平面高压VDMOS工艺平台，初步总结了当前各种成熟......
基于实际生产需求,通过软件仿真对一种新型高压功率器件的终端结构进行了优化设计,并制备了性能良好的器件。使用TCAD软件对新型终......
设计了一款800 V VDMOS终端结构,采用场限环(FLR)与场板(FP)相结合的方式,在场限环上添加多晶硅场板与金属场板,有效地降低了表面......
该文提出了高压绝缘栅双极晶体管(IGBT)的设计方法,根据国内现有工艺水平,设计了1700V/100A.高压大电流的NPT-IGBT。击穿电压达1 8......
动态雪崩问题是影响高压硅功率二极管如高压快恢复二极管(FRD)坚固性的一个主要因素。文中通过仿真计算,比较了高压FRD两种不同终......
提出了高压绝缘栅双极晶体管(IGBT)的设计方法,根据国内现有工艺水平,设计了1 700 V/100 A高压大电流的NPT-IGBT,包括其元胞结构、......
通过理论计算,优化了外延层厚度和掺杂浓度,对影响击穿电压的相关结构参数进行设计,探讨了VDMOSFET的终端结构。讨论了场限环和结......
鉴于终端设计在功率晶体管设计中的重要地位,本文主要对目前广泛应用的终端结构的研究,探讨它们的优缺点。结合本公司特有的半绝缘......
学位
本文的工作分为两部分：场限环(FLR)终端结构和偏移场板(FP)终端结构的研究。首先详细介绍和比较了目前存在的三种场限环终端设计方......
通过电测、微光显微镜(EMMI)漏电流定位和扫描电子显微镜(SEM)形貌分析等手段,对一款700V垂直双扩散金属氧化物半导体(VDMOS)器件......
作者采用一种新方法设计了可在高压下工作的高频VDMOS器件,该器件具有二级场板终端结构。通过在工艺上利用多晶硅选择氧化形成漏表......
高压VDMOS器件需要借助终端结构来缓解结弯曲引起的曲率效应。在VDMOS器件设计中,高击穿电压、短终端长度、低漏电流和低表面电场......
功率MOSFET器件作为电力电子器件的重要一员,因其具有开关速度快、输入阻抗高、电流负温度系数、驱动功率低等优点,被广泛应用于开......
为拓宽硅基肖特基整流器在中高压和大功率器件领域的应用市场,新型的肖特基整流器(即结势垒肖特基整流器或混合pin/肖特基整流器,......
绝缘栅双极晶体管(IGBT)作为新兴功率半导体器件广泛应用于智能电网、高速铁路、工业变频等战略产业领域。然而当前国内IGBT生产制......
数模混合电路的设计日益受到重视。所以如何利用流行的CMOS工艺制造出高压器件并与原有低压电路相兼容已经成为摆在很多研究者面前......
耐压能力是功率MOSFET的最重要性能,通常在器件的应用选型中,击穿电压是作为首要的考虑指标。对于击穿电压小于100V的VDMOS器件,达......
功率VDMOSFET因其输入阻抗高,开关速度快和热稳定性好等独特的优点而在各种功率开关应用中越来越引起人们的重视,为了减小器件本身......
VDMOS产品在高温反偏试验过程中,经常出现耐压和漏电流失效或不稳定的现象。对Si-Si O2系统中四种基本形式的电荷或能态以及高温反......
根据功率半导体器件（如BJT、VDMOSFET等）的结终端结构特点,利用TCAD半导体器件仿真软件全面系统的分析了结终端高浓度扩散区结深及三......
通过分析VDMOS产品总剂量和单粒子的失效机理,提出了相应的总剂量和单粒子加固方案,同时对具有抗辐照要求的VDMOS在终端设计和管芯......
