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GaN LED器件外延膜的激光剥离的研究
GaN及其化合物是直接带隙半导体材料,它的禁带宽度从1.9eV~6.2eV连续可调,发光范围覆盖了从红色到紫外的光谱,GaN材料是一种理想的......
学位
GaN
激光剥离
蓝宝石衬底抛光
衬底加热
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