通过衬底加热和氧化钼（Mo O3）修饰源漏极制备了并五苯有机场效应晶体管。研究了衬底温度和电极修饰层厚度对器件性能的影响。实验结......

本文采用二步法制备Cu2ZnSnS4（CZTS）薄膜,首先通过真空热蒸发制备CuZnSn（CZT）预制层,其衬底加热温度分别为20℃、50℃、75℃和100℃,然......

本文以TiNi形状记忆合金板作为靶材,利用磁控溅射法制备了近等原子比的TiNi合金薄膜,通过衬底加热和晶化退火两种方法获得晶化薄膜......

本文采用直流磁控溅射法在玻璃态SiO2衬底上制备Au薄膜。由于两者之间错配系数太大，导致Au膜与衬底之间附着力较差，在沉积Au之前，先在......

自从有机场效应晶体管(OFETs)诞生以来就受到了广泛关注,由于具有制备工艺简单、成本低廉、适合低温大面积制造、可与柔性衬底兼容......

本论文主要研究以通过磁控溅射制备成薄膜的铟镓锌氧化物(IGZO)为有源层,以二氧化硅为绝缘层的薄膜晶体管(TFT)。研究了薄膜厚度和......

GaN及其化合物是直接带隙半导体材料,它的禁带宽度从1.9eV～6.2eV连续可调,发光范围覆盖了从红色到紫外的光谱,GaN材料是一种理想的......