建立表面注入双重降低表面电场(D-RESURF)结构击穿电压模型。D-RESURF器件在衬底纵向电场和Pb区附加电场的影响下,漂移区电荷共享......

提出表面注入P-top区double RESURF功率器件表面电场和击穿电压解析模型. 基于分区求解二维Poisson方程,获得double RESURF表面电......

提出一种带p埋层的表面注入硅基LDMOS高压器件新结构,称为BSI LDMOS（surface implanted LDMOS with p buried layer）.通过表面注入n^......

提出了一种新型SOIP-LDMOS器件,其大部分漂移区不覆盖场氧,从而避免了因生长场氧的高温过程而引起的硼杂质分凝效应,并在制备场氧......