表面电场相关论文
从纳米Ag颗粒表面等离子激元光学及表面高能电场特性两方面入手,较为系统地研究了周围介质的导电特性对表面等离子激元的影响.通过......
目前我国输电系统规模巨大,输电距离远,特高压输电线路能减小走廊面积,有效提高单位输电线路走廊宽度的输电容量,从而最大限度地提......
NexFET器件作为一种新型功率MOSFET器件,其兼具低导通电阻、低栅极寄生效应、高可靠性、高电流密度以及大电流能力等优点,且工艺简......
土壤中含有大量的带电颗粒,包括各种黏土矿物、氧化物及其水合物、土壤腐殖质、蛋白质以及微生物等。研究表明,土壤各种颗粒的平均......
本文就大台面高电压、大电流晶闸管玻璃钝化，从理论和实践上闸述了钝化机理，系统介绍了台面造型、玻璃涂复、熔烧等工艺途径，并给出了......
离子扩散是土壤中物质传输的重要形式。土壤中营养元素的迁移及渗透，有毒、有害化学物质的转化与归宿等都与之有密切的关系。土壤中......
矿物是土壤的主要组成之一,按质量计算占土壤固相90%以上。土壤矿物的组成、结构和性质,对土壤物理性质、化学性质以及吸附、催化......
土壤中广泛存在着硝化作用,硝化作用是土壤N素循环的一个重要过程,其将NH4+—N转化为NO3-—N,该过程形成的NO3-—N较容易被植物利......
等离子体显示器(Plasma display panel,PDP)具有大尺寸、响应时间快、高亮度、高对比度、宽视角、易于制作大而薄的屏幕等优势,使......
表面电场强度和表面电荷对绝缘子的绝缘性能有重要的影响,本文主要对真空中绝缘子表面含有导电颗粒时其表面电场强度和表面电荷密......
分裂导线表面最大电场强度是特高压直流线路导线选择的主要依据,地面标称电场是评估线路对环境影响的重要指标。但目前直流输电线......
换流站承担交直流间相互转换的工作,是特高压直流输电工程中的核心.换流站阀厅内各种设备的连接处容易出现电场畸变需要加装球型金......
本文提出了LDMOS器件漂移区电场分布和电势分布的二维解析模型,并在此基础上得出了LDMOS漂移区电势分布和电场分布的解析表达式。......
研究了22 nm栅长的异质栅MOSFET的特性,利用工艺与器件仿真软件Silvaco,模拟了异质栅MOSFET的阈值电压、亚阈值特性、沟道表面电场......
提出了一种埋空隙PSOI(APSOI)RESURF器件结构,此结构利用空隙相对低的介电系数,在器件纵向突破了传统SiO2埋层的耐压关系,提高了击......
提出表面注入P-top区double RESURF功率器件表面电场和击穿电压解析模型. 基于分区求解二维Poisson方程,获得double RESURF表面电......
绝缘子表面电荷积聚及其引起的表面电场分布畸变是导致绝缘子表面闪络电压低的主要原因.对绝缘子表面电场及电荷分布进行测量有助......
特高压直流输电线路导线表面更容易聚集和吸附颗粒物,严重影响输电线路的电磁环境。为此,采用Ansoft有限元分析软件,仿真研究空气......
本文探讨了交直流混合线路中逐步镜像法的计算原理,实例计算结果与Markt-Mengele法计算结果很接近,表明本文采用的计算方法具有较......
通过恒流法研究了不同表面电场作用下Mg^2＋、Ca^2＋吸附动力学.结果发现：（1）实验初期阶段是强静电力作用下的零级动力学过程和一定反应时......
研究了常规LEDMOS，带有两块多晶硅场极板LEDMOS以及带有两块多晶硅场极板和一块铝场极板的LEDMOS表面电场分布情况，重点研究了多块场......
提出具有电阻场板（Resistive fieldplate，RFP）硅基LDMOS表面电场和击穿电压解析模型。基于求解二维Poisson方程，此模型给出了二维表面......
根据泊松方程和热扩散方程提出了新型PB—PSOI器件漂移区的二维表面电场分布模型和温度分布模型，模型计算结果与Medici模拟结果相一......
基于横向扩散与纵向扩散构成的冶金结边界为椭圆形这一特点，讨论单场限环结构表面电场强度的分布，给出表面电场强度、主结及环结分担......
针对3DK9开关晶体管在应用中出现表面漏电失效的具体案例进行分析研究。该器件的设计在基极场板边缘处同时出现金属化台阶和表面尖......
针对带有栅极场板的绝缘体上硅p型横向双扩散场效应晶体管（SOI-p LDMOS）,提出了一种新型表面电场解析模型.相比于传统模型,该模型充......
提出一种带p埋层的表面注入硅基LDMOS高压器件新结构,称为BSI LDMOS（surface implanted LDMOS with p buried layer）.通过表面注入n^......
在单面阶梯埋氧型SOI结构的基础上，提出了一种双面阶梯埋氧SOI新结构，双面阶梯的电荷积累作用使其纵向电场突破了传统上受界面电荷为......
提出了体硅double RESURF器件的表面电场和电势的解析模型.基于分区求解二维Poisson方程,获得double RESURF表面电场的解析表达式.......
针对当前沿海陶瓷绝缘子重污染区污闪问题和生产实践中对陶瓷绝缘子装设增爬伞裙以提高其抗闪络性能的技术手段,采用有限元仿真方......
导线表面电场是特高压直流（UHVDC）输电线路无线电干扰、可听噪声以及电晕损失的决定因素,为此准确计算导线表面电场强度显得格外重要......
为研究特高压六相输电线路表面电场和空间电场的特性,参考特高压同塔双回输电线路杆塔结构,计算设计特高压六相输电系统杆塔典型尺......
介绍了＂闪光二号＂加速器在实验运行过程中,Marx发生器、水介质同轴线和二极管的常见故障。Marx发生器200kV气体开关、水介质同轴线的......
本文提出一种具有高斯型的倾斜表面漂移区的LDMOS结构。P阱、沟道、源区、栅极等位于高斯中心的一侧,而漏端位于高斯中心的另一侧......
基于Kerr电光效应,建立了用以对纳秒脉冲高电压作用下的真空绝缘子表面电场进行在线测量的实验系统.该测量系统由快脉冲高电压源、......
借助二维器件仿真软件MEDICI对double RESURF（双重降低表面电场）SOI LDMOS进行了深入研究,分析了降场层的浓度、长度、深度等参数的......
在电光取样技术和高速光通信系统中，对1.31μm和1.55μm波长的超短激光脉冲的测量日益显得重要。而砷化镓（GaAs）晶体是光电子学领域重......
我国能源资源分布与需求相对不均,使得大容量远距离的高压直流输电工程成为必须,而在对架空输电线的选择上,型线相较于传统圆绞线......
结终端扩展（JTE）技术最早由A．K．Temple等人提出，其作用是控制高压器件的表面电场。最早的JTE为横向变掺杂技术将终端区分为多区，靠近主结......
本文主要研究了支柱绝缘子在雨天雨量均匀的环境下,污秽绝缘子表面形成干燥带时,干燥带对污秽绝缘子表面电场的影响。通过有限元软......
在SOI（绝缘衬底上的硅）器件的设计过程中,为使其具有较高的耐压水平,可优化器件的RESURF（降低表面电场）效应。而在实际电路工作过程中,......
本论文首先介绍了国际上高能直线加速器的发展状况和一些先进加速器的概念,着重介绍了基于介质的加速结构。高加速梯度是未来直线......
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横向高压器件是高压集成电路的关键器件,受到了众多学者深入的研究。随着半导体技术的快速发展,功率器件和常规低压器件等比例减小......
输电线路覆冰对电力系统安全运行具有严重威胁,目前已有多种防冰除冰方法,但每种方法都有其局限性,对于一些微气象、微地形重覆冰......
