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谷际散射相关论文

亚微米半导体结构中的弹道电子输运

目前可能制作的尺寸最小的MOS晶体管,虽然其沟道长度仅有几微米,但从源极发射的电子在晶体中经受多次散射之后,其速度便处于所谓的......

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电子输运半导体结构谷际散射输运性质有源区运动效应多次散射沟道长度碰撞作用康奈尔大学

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