沟道长度相关论文
光电探测器是一种把紫外、可见及红外等光信号转化为电信号的光电子器件,已广泛应用于通讯工程,遥感,过程控制,天文学,国防等领域......
现代半导体工艺技术的不断提升极大地推动了集成电路的发展,对器件的性能需求也越来越高。工艺水平的提升,带动了器件从微米级向纳米......
对包头市城市防洪范围内的地形、水文和防洪设施现状详细地进行了分析,得出包头市城市洪涝灾害产生的原因,进而提出应对洪涝灾害的......
最近实验表明纳米尺度MOSFET中的过剩噪声主要为散粒噪声,而此前研究认为MOSFET中不存在散粒噪声,短沟道MOSFET中的过剩噪声为热噪......
为了实现对快速运动目标的跟踪成像或记录其快速变化的过程,研制了一种高帧频64×64元蓝光响应增强CCD。该器件的存储区采用漏斗形......
研究了氧化铟镁(MgInO)薄膜晶体管在不同波长下的光响应。实验表明,入射光波长减小,光电流将增加。和积累区相比,耗尽区具有更高的......
针对传统建模方法较复杂的问题,提出一种碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)行为建模的方法。用一组简单方程描述了......
本文介绍了半导体硅材料的发展现状及未来发展趋势。
This article describes the current status of semiconductor silicon mat......
在综合考虑短沟道效应和漏致势垒降低效应的基础上,通过求解泊松方程,建立了小尺寸Si基Ge沟道pMOSFET阈值电压模型,其模型计算值......
随着半导体工艺的不断提升,晶体管越来越小,其沟道长度也逐渐变小,漏电流成了棘手的难题,人们一度怀疑摩尔定律的有效性。然而,3D......
研究了材料、栅氧化层厚度和沟道长度对SiC VDMOS结构特性的影响。结果表明,4H-SiC器件具有更高的电流密度,因此,4H-SiC比6H-SiC更......
现代设计中,ESD已经被众多设计人员重视.就此,本文讨论了ESD问题及相关的解决方案.rn高集成度ESD解决方案rn随着IC制造技术的提升,......
依据退化实验结果,并结合半导体器件工艺模拟软件TCAD仿真,详细研究了高压绝缘体d2@(SOI)p型横向双扩散MOSFET(pLDMOS)~电流的热载流子退......
本文主要介绍了为防止半导体器件静电损伤,在设计上所采取的几种保护电路,以及在制造、测试、试验、传递、包装、运输、使用等各个......
IC设计中,为计算方便,设计者往往将K作为常量使用。这与实际情况不符并会导致设计的电路进行仿真时的结果总与性能指标有一定的差距......
基于测试结果,研究了不同沟道宽度、沟道长度对深亚微米单叉指栅接地N型金属氧化物半导体静电放电保护器件性能的影响机制,并得出......
通过分析高k栅介质SOI LDMOS管沟道与埋氧层的关系,建立了SOI LDMOS管的阈特性模型。研究了器件主要结构参数对阈特性及小尺寸效应......
低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS-TFT,Low Temperature Poly-silicon Thin Film Transistors)作为开关器件和外围电路,已被广泛用于高性能......
学位
介绍了P沟道恒流二极管和NPN双极型晶体管的工艺制作,采用PN结隔离技术实现隔离,巧妙地将集电极、发射极和恒流二极管沟道区同时制......
VMOS功率场效应晶体管有两种结构,一种是VVMOS功率场效应晶体管,另一种是VDMOS功率场效应晶体管。VVMOS结构是美国雷达半导体公司在1......
本文较全面地介绍SDB/SOI技术,其中包括热键合机理和工艺、硅片减薄技术的机理和工艺以及SOI材料的质量检验和分析。......
<正>本文就VD-MOS350型功率场效应晶体管的结构及主要技术参数的设计、工艺的设置进行了讨论.作者采用双扩散、离子注入、多晶硅自......
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期刊
采用量子输运模型和NEGF理论,自洽求解薛定谔方程和泊松方程,对类MOS-碳纳米管场效应晶体管的电子输运特性建模。考察了沟道长度Lg......
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4石墨烯的应用尽管纳米管具有许多独特的优点,但石墨烯与其相比具有无可比拟的优势,如在制作复杂电路时若采用纳米管,则必须经过仔......
本文简要地介绍了H~+-ISFET(氢离子敏场效应晶体管)的基本结构和工作原理,分析了目前多数常规H~+-ISFET在结构上的不足之处和对实......
分析并模拟了SOINMOSFET的电源电压、工艺参数、沟道长度等对器件内部电场的影响,并对器件的低压热载流子效应进行实验测试,得到了......
本文报导了近年来发展较为突出的功率场效应器件VDMOSFET的辐射效应以及国内外VDMOSFET的抗辐照特性,最后给出了该器件的基本设计......
<正> 1971年5月在西德召开了半导体离子注入技术的第二届国际会议,根据该会的报导,离子注入技术在半导体器件制造中的用途日益广泛......
根据碳纳米管薄膜晶体管特有的渗流输运机制,通过改变器件的沟道长度实现了对器件阈值电压的调控。与通常的晶体管阈值电压调控方......
本文报道了为确定CMOS/SOS辐照加固16K存储器中临界电荷Qc与特征尺寸(沟道长度L)的依赖关系所作的实验尝试。单击事件扰动(SEU)实验是......
<正> 在半导体超晶格物理与器件的研究中,锗硅超晶格、异质结、量子阱材料与器件的研究占据着十分重要的地位.这是因为,以Si1-xGex......
采用自组装的方法制备99%高纯度半导体碳纳米管平行阵列条带,以金属钯和钪为非对称接触电极制备碳纳米管(CNT)薄膜晶体管(TFTs)器......
gm/Id是基于查找表的设计方法,该方法是通过对实际晶体管进行建模和扫描,绘制出不同沟道长度下的gm/go-gm/Id、fT-gm/Id和Id/W-gm/......
为了研究杂质分布对器件性能的影响,同时制作了双扩散MOS(DMOS)和V形槽MOS(VMOS)晶体管。为了获得沟道的长度和峰值沟道掺杂浓度,......
用发展了的单极晶体管理论,其中考虑了漂移速度饱和的影响描述和分析了单栅砷化镓 p—n 结场效应晶体管的高频和温度特性。由简明......
<正> 一般的 MOSFET 工艺是用厚氧化物作为扩散掩蔽,因而需要光刻和重复对准步骤以确定短沟道区上的栅氧化物及栅电极。自对准 MOS......
以前人们认为异质结双极型晶体管是硅锗新材料在微电子器件方面的最重要应用。根据最新的信息,指出这一器件具有很大的局限性,而正在......
<正> 一、引言为了提高 MOS 集成电路的工作速度和集成密度,以往多采用等比例缩小方法。然而当 MOS 器件的尺寸缩小到一定程度后,......