【摘 要】
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目前可能制作的尺寸最小的MOS晶体管,虽然其沟道长度仅有几微米,但从源极发射的电子在晶体中经受多次散射之后,其速度便处于所谓的饱和状态,这就限制了器件的工作频率. 但是,
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目前可能制作的尺寸最小的MOS晶体管,虽然其沟道长度仅有几微米,但从源极发射的电子在晶体中经受多次散射之后,其速度便处于所谓的饱和状态,这就限制了器件的工作频率. 但是,如果晶体管的结构尺寸大为缩小,以致于低温(77K)时电子的平均自由程可以接近或者大于由现代亚微米工艺
The MOS transistors of the smallest size available today, although having a channel length of only a few microns, are subject to so-called saturation after the electrons emitted from the source undergo multiple scattering in the crystal, limiting the device However, if the transistor structure is greatly reduced in size so that the average free path of electrons at low temperatures (77K) can be close to or greater than that produced by the modern submicron process
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