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SiC材料由于具有宽禁带、高临界击穿电场、高饱和电子漂移速度、较大的热导率等优良特性,因此成为制作高温、高频、大功率器件的理......
该文主要对MIM(金属-绝缘层-金属)隧道发光结(主要为AlO-Au隧道结)的电流-电压(I-V)特性中的负阻现象用"轨道杂化"理论进行了解释.......
对聚合物发光二极管I-V特性的测量发现,被测器件内存在着类似于某些无机器件中的负阻现象和"迟滞回线”状场致漂移的伏安特性.模拟......
成功地制备了Cu-Al2O3-MgF2-Au及Si-SiO2-Al-Al2O3-Au两种结构双势垒隧道发光结。由于双势垒结中第二栅存在着不同的分立能级,电子......
对结构为Si/Al/Alq3/PVK：TPD/PTCDA/ITO的有机反转电致发光器件I-V特性的测量发现,其电压出现了峰值的负阻现象.分析表明：高电压注入......
纳机电系统(NEMS)是电子自由度和机械自由度之间具有强相互作用的纳米尺度的器件,它具有尺寸小、频率高、响应时间短、品质因素高......
提出了一种在阳极引入浮空P型埋层的新型场截止绝缘栅晶体管(FS-IGBT)。结合超结与阳极短路的思想,在相同仿真条件下,与传统FS-IGB......
本文简要介绍了绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)的发展历史和基本工作原理,较为全面地总结了国内外降......
