导通压降相关论文
提出了一种新型无电压折回现象的超结逆导型绝缘栅双极型晶体管（RC-IGBT），并基于Sentaurus TCAD进行了电学特性仿真。提出的超结RC-IG......
绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT）具有低导通压降、高电流密度、高输入阻抗和宽安全工作区等优点,在电......
随着电力电子技术的发展,人们要求不断提高电能的转换效率。绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT）作为半导......
SiC材料具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高电子饱和漂移速度等优点,是制作功率半导体器件的理想材料。碳化硅绝缘栅双极型......
电力电子技术作为电能转换和传输的关键技术,推动着电动汽车、高铁等绿色产业和产品的快速发展。而绝缘栅双极型晶体管（insulated g......
以功率半导体器件为核心的电力电子技术，在特高压直流输电、高铁、电动汽车、可再生能源发电和5G通信为主要应用场景的新兴行业将振......
由于传统的光功率采集仪精度不高,在实验中无法明显地显示出光功率在短期内的变化,而采集电压的数据采集系统可以很好地解决这个问......
采用数字万用表的“二极管测量”档，对两种型号的二极管导通压降的温度特性进行测量，实验方法简便、操作简单，并准确地测定导通压降的......
首次指出了超结IGBT这一新型功率半导体器件独特的导通机理并对其作了详细分析。通过TMA—MEDICI仿真验证，超结IGBT耐压能力和正向......
作为电力电子技术的核心,功率半导体器件在电能的控制、变换和调节中有着至关重要的作用。横向绝缘栅双极型晶体管(Lateral Insula......
碳化硅绝缘栅双极晶体管(SiC IGBT)不仅具有SiC材料临界击穿场强大、击穿电压高、工作频率快等优点,而且还具备了IGBT器件易驱动、......
绝缘栅双极晶体管(IGBT)是电能转换应用的核心器件。IGBT的导通压降(VCEsat)是其一项关键参数,VCEsat高,IGBT导通时功率损耗大,发......
硅基高压功率器件的di/dt,dv/dt能力正在达到自身极限,具有禁带宽度大、临界击穿电场高、热导率高以及电子饱和漂移速度大等优越物......
作为宽禁带半导体材料的代表,碳化硅具有禁带宽度大(Eg>2.3eV)、临界击穿电场高、载流子饱和速度大以及热导率高等优良特性,特别适......
利用动态控制阳极短路的基本原理，提出了一种实现高速IGBT的新思路。该结构的关键是引入了一个常开型p-MOSFET，在IGBT导通时关断，不增......
针对沟槽型绝缘栅双极型晶体管(IGBT)栅电容较大、开关速度较慢的问题,基于内透明集电极(ITC)技术,将电荷耦合(CC)的思想应用于槽......
绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)作为电力电子领域中的—’种典型开关器件,具有输入阻抗大、导通压......
绝缘栅双极晶体管(IGBT)的内部载流子控制方法对器件的导通状态电压降、关断损耗、SOA、热可靠性和瞬态稳定性等器件性能至关重要......
逆导型横向绝缘栅双极晶体管(RC-LIGBT)由于高电流密度、小封装成本等优点,成为了功率器件领域内主流器件之一,然而其会受到电压折......
大功率半导体器件的散热性能直接影响其可靠性,功率芯片固晶一般采用焊锡焊接提高散热性能。本文通过测试二极管的伏安特性与结温......
利用TCSC可以平滑地调节阻抗,实现对不同线路参数或不同负荷的线路进行电压调节,稳定负荷侧电压。对线路电压调节时考虑线路横向压......
首先介绍电网中所用的快恢复二极管正向浪涌电流测试原理及方法,试验研究器件有源区结构、阳极区杂质补偿及载流子寿命控制方式对......
为了研究结温对1200V SiC MOSFET和Si IGBT输出特性、漏电流、开关特性和器件损耗的影响,搭建了输出特性测试电路、漏电流测试电路......
现今社会电能的主要来源依旧是不可再生资源,电力电子技术作为一种旨在提高电能传输和利用效率的技术,可以有效的减少资源消耗。绝......
功率半导体器件由于其优越的电能转化能力,被广泛运用于各个领域。IGBT是功率半导体器件第三次技术革命的代表性产品,同时具有MOSF......
功率器件的应用推动了电力电子行业的迅速发展。一个理想的功率器件,希望其在关断时具有非常高的耐压能力,在通态时具有较低的正向......
电感式接近开关的原理、制造与应用北京时利达科技发展公司王斌电感式接近开关是一种非接触型无触点接近开关，用于探测金属物体的到......
本文简要介绍了绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)的发展历史和基本工作原理,较为全面地总结了国内外降......
SiC作为一种宽禁带半导体材料,其禁带宽度大、临界击穿电场高、饱和漂移速度高、热导率高、内部Si-C键能大、抗环境腐蚀能力强、抗......
横向绝缘栅双极晶体管（LIGBT）采用少数载流子的注入来降低导通电阻，完成了5μm外延层上普通LIGBT（C-LIGBT）、3μm外延层上的Trench Gate......
为增强器件的反向耐压能力,降低器件的漏电功耗,采用Silvaco TCAD对沟槽底部具有SiO2间隔的结势垒肖特基二极管（TSOB）的器件特性进行......
