费米能级钉扎效应相关硕士博士期刊学术论文 - 搜论网

费米能级钉扎效应相关论文

金属氮化物与锗接触特性研究

锗(Ge)材料因其较高的载流子迁移率以及与硅工艺兼容的性质成为下一代高性能集成电路半导体MOSFE器件沟道的首选替代材料。然而金......

学位

锗费米能级钉扎效应肖特基势垒高度氮化钛氮化钨

先栅工艺中高K/双金属栅集成研究新进展

随着高K、金属栅材料引入到CMOS工艺，高K／双金属栅的集成已成为研究热点。利用多晶硅回刻和掺杂结合两步全硅化工艺的方案，可实现低功......

期刊

高K材料金属栅费米能级钉扎效应盖帽层离子注入功函数

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