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工作在中波（35μm）的探测器具有广泛的应用。对于快速响应的光子探测器领域,Ⅱ-Ⅵ族的HgCdTe（碲镉汞）器件取得了很多重要成果,目前仍然......
近年来，氧化锌(ZnO)是继氮化镓(GaN)和碳化硅(SIC)后，受到广泛研究的新型宽禁带半导体材料，ZnO基半导体由于具有较宽的禁带宽度(3.37e......
近年来，ZnO由于其良好的激子发光特性而受到众多研究机构的关注。其具有比GaN和ZnSe材料更高的室温激子束缚能，有望实现室温甚至更高......
由于三元半导体材料InxGa1-xAs可以很好地覆盖13μm波段的红外辐射,因此在红外探测器领域内得到了广泛的应用。此外,InxGa1-xAs材......
